안녕하세요 저는 반도체회사에서 Dry Etch 공정 엔지니어로 근무중입니다.

 

Etch Profile을 Control하는 방법들을 연구하고있는데, 그 중에 Wafer내 영역별로 Capacitance 성분을 조절하여 Etch Profile을 Control 해보는 방법을 구상 중에 있습니다.

여기서 궁금한게, Capacitance 성분이 높은 영역은 Sheath Energy가 작아져 Etch 효율이 떨어질 것으로 생각했는데 제 생각이 맞을지 아니면 Capacitance 성분이 높아지면 해당 영역은 전하 축적량이 커져 Vdc값이 음의 방향으로 커져서 Sheath Energy가 커지는것이 맞을까요?

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [301] 78014
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20833
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57735
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69248
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93624
817 인가전압과 ESC의 관계 질문 [1] update 11
816 Dielectric Etcher(CCP)에서 사용하는 주파수 [1] 46
815 ICP에서 biasing 질문 [RF sheath와 self bias] [1] 66
814 가스 조성 및 온도에 따른 식각률 관련 질문입니다. [Arrhenius equation 이해] [1] 52
813 RF sputtering reflect power에 대해서 질문 남깁니다. 44
812 ExB drift 식 유도 과정에서의 질문 [삼각함수의 위상각] [1] 43
811 Debey Length에 대해 문의 드립니다. [플라즈마 정의와 Deybe length] [1] 78
810 플라즈마 식각 공정 중 폴리머의 거동 [재료 표면 반응] [1] 2114
809 플라즈마 사이즈 측정 방법 [플라즈마 분포 측정 및 산포 평가] [1] 147
808 Forward와 Reflect가 계속해서 걸립니다. [RF generator] [2] file 180
807 micro arc에 대해 질문드립니다. [DC glow 방전과 breakdown 전기장] [1] 84
» Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다. [Sheath 크기 및 전위 분포] [1] 133
805 Surface wave plasma 조건에 관해 질문드립니다. [표면파의 전파] [1] 61
804 CCP Chamber 사용 중 Impedance 변화 원인 문의드립니다. [Chamber impedance 변화] [1] 138
803 CVD 박막 Clean 중 Ar에 의한 Etch 여부가 궁금합니다. [Ar plasma chemical etching] [1] 155
802 Ion 입사각을 확인하는 방법 문의드립니다 [식각 플라즈마의 가장자리 균일도 제어] [1] 79
801 ICP Plasma etch chamber 구조가 궁금합니다. [플라즈마 생성 공간과 플라즈마 확산] [1] 175
800 HE LEAK 과 접촉저항사이 관계 [국부 방전과 chucking] [1] 178
799 PECVD 실험을 하려고 하는데 조언 구합니다. 129
798 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [열전달 방정식 이해] [1] 90

Boards


XE Login