Etch ICP 장비 TCP Reflect 발생 간 조언 부탁드립니다.
2024.09.05 12:35
안녕하세요
처음으로 이렇게 문의드리게 되었습니다.
본론부터 바로 말씀드리면 현재 저희 회사에서 사용중인
ICP 장비 TCP Matcher 교체 후 Reflect 가 기존대비 2w정도 높게 발생중입니다.
처음엔 임피던스 측면에서 접근하여 matcher 도 재교체 해보고 그외 Power 계통 파츠를 전부 바꿔보아도 현상이 동일하였습니다.
그러다 최근에 pressure 를 기존대비 1mtorr정도 올리니 정상수준으로 reflect가 개선이 되어
현상을 plasma density가 너무 높아 reflect가 발생하는것으로 추론하여
업무를 진행하였는대요.
Plasma density를 낮춰보기위해 top power 부근 heating 온도나 chamber wall temp 등 낮춰보고
TcP Power도 낮춰서 레시피평가를 해보았지만 reflect는 잡히지 않았습니다..
혹시 pressure를 올렸을때 정상이 되는 관점에서 다른 원인을 추론해볼만한 현상이 있을가요?
그와 관련된 현상으로 업무진행방향을 다시 검토해보고자 합니다
안녕하세요 동일 공정 간에 plasma impedance의 차이가 어느 정도 차이가 나는지에 대해서 조사가 필요해보입니다.
요새 RF match에 VVC의 위치마다 Z load가 표기되는 것이 많으니 확인을 하시는 것이 좋아보입니다.(일반 tuning용 match)
pressure와 가스의 조절은 impedance의 변화를 야기 시킴으로 프로세스 값이 기판 양산에 들어가 있으시다면 조절을 하지 않는 것이 바람직하다고 생각 되어 집니다.
고려 해볼만한 것
1. 실제 impedance를 manual로 tuning으로 반사값을 더 낮추는 것이 가능한지(안테나의 임피던스가 달라진 것으로 판단되면 다른 것을 점검 할 필요하 있어보임)
2. 주파수를 여러개 mixing해서 사용하는지, IMD
3. RF match의 spec이 해당 target에서 반사파율에 대한 스펙 혹은 VSWR 계수(spec in 이라면 더 낮은 스펙의 제품을 고려)
4. External power sensor로 통해도 해당 값이 나오는지
5. 진공도가 이전과 실제로 정확한지
6. 가스계통의 flow 값이 정확한지
사실 RF의 반사파가 2W 정도 더 높게 된다고 공정에 영향이 있는지가 저는 궁금합니다. 제가 판단하기로는 공정용 플라즈마용 RF의 반사파 2W는 매우 작은 값으로 판단되어지기 때문입니다.