ESC ESC DC 전극 Damping 저항
2022.11.17 17:29
안녕하세요. 반도체 장비관련 업종에 종사하고 있습니다.
하기와 같이 질문을 드립니다.
ESC에 Wafer Chucking 용 DC 전극을 2000V~5000V 정도 인가를 합니다.
그리고 인가되는 Bias RF Power 조건은 하기와 같습니다.(Power는 Max Power 기준)
Case1) 2MHz 단독(5kW), 13.56MHz 단독(3kW), 60MHz 단독(10kW), 400KHz 단독(16kW)
Case2) 400kHz+60MHz, 2MHz+13.56MHz
이러한 조건일때 ESC DC 전극 Port와 DC Power Supply 사이의 Damping 저항용량을 얼마로 하면 좋을지 궁금합니다.
Damping 저항 계산하는 공식을 알려주시면 더 많은 도움이 될 것 같습니다.
현재 13.56MHz(3kW)에는 500kΩ, 2MHz(5kW) 1MΩ 사용하고 있습니다.
이 외에 위 조건에서 사용 시 참고해야 할 내용이 있으시면 함께 답변 부탁드립니다.
감사합니다.
댓글 0
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [158] | 72988 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 17579 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 55511 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 65680 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 85997 |
| 704 | self bias [1] | 70 |
| 703 | Self bias 내용 질문입니다. [1] | 52 |
| 702 | 정전척의 chucking voltage 범위가 궁금합니다. [1] | 72 |
| 701 | 챔버 시즈닝에 대한 플라즈마의 영향성 [1] | 86 |
| 700 | PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [1] | 110 |
| 699 | 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] | 109 |
| 698 | ICP lower power 와 RF bias [1] | 368 |
| 697 | CCP RIE 플라즈마 밀도 [1] | 196 |
| 696 | 실리콘 수지 코팅 Tool에 Plasma 클리닝 시 코팅 제거 유/무 [1] | 65 |
| 695 | RF 전압인가 시 LF와 HF 에서의 Sheath 비교 [1] | 268 |
| 694 | 기판표면 번개모양 불량발생 [1] | 195 |
| 693 |
진공수준에 따른 RF plasma 영향 관련 질문
[1]  | 283 |
| 692 | OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [1] | 16529 |
| 691 | plasma modeling 관련 질문 [1] | 233 |
| 690 | 플라즈마 진단 OES 관련 질문 [1] | 358 |
| 689 | O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. | 470 |
| 688 | 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] | 834 |
| 687 | Ta deposition시 DC Source Sputtreing | 2283 |
| » | ESC DC 전극 Damping 저항 | 242 |
| 685 | 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] | 431 |