안녕하세요. 반도체 회사에 근무중인 회사원 입니다.


다름이 아니고 PECVD로 박막 증착 시 Radical들의 움직임에 관해 궁금한 점이 있어서 글을 올립니다.


Radical이 Wafer위에서 migration후 반응하여 island를 만들고 그 섬들이 성장하여 박막을 형성하는 것으로 알고 있는데


Radical이 가지는 에너지, 기판의 온도, 기판을 이루는 물질과의 결합에너지 등을 통해 Radical이 기판위에서


평균적으로 얼마나 움직이는지, 어느 위치를 안정적인 site로 인식하고 반응하는지 등을 알 수 있을까요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [179] 74882
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 18736
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 56223
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 66684
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 87991
161 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 30
160 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 110
159 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] 113
158 PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다. [1] 116
157 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] 189
156 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 215
155 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 254
154 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 272
153 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 314
152 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [1] 338
151 RF Sputtering Target Issue [2] file 345
150 기판표면 번개모양 불량발생 [1] 354
149 Polymer Temp Etch [1] 368
148 PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] 391
147 magnetic substrate와 플라즈마 거동 [3] 413
146 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] 470
145 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 501
144 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 508
143 O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. 547
142 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다 [1] 554

Boards


XE Login