안녕하세요. 저는 유니스트에 재학중인 대학원생입니다.


이전에도 ICP CVD에 대해서 질문을 올렸었는데 그때 답변을 보고 문제점이 무엇인지 알수 있었습니다. 너무나 감사합니다.


그래서 이번에도 질문이 생겨 다시한번 찾아오게 되었습니다.


이번에 궁금한 점은 ICP CVD의 sample stage나 substrate에 magnetic property가 존재할 경우 plasma의 거동이 변하는지 변한다면 어떤식으로 변하게 될지 궁금하여 질문을 드립니다.


제가 찾아본 자료들을 보면 sample stage에 bias를 걸어서 deposition rate을 조절할수 있다는 자료들을 찾아 봤었습니다.


 그러다 문득 생각난게 magnetic field도 유사한 결과를 보여줄것 같은데 이렇게 생각해도 되는지 궁금합니다.


혹시 관련된 서적이나 논문 자료등 추천해주실 만한 자료가 있으시면 염치 불구하고 부탁드리겠습니다.


감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76692
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20152
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57159
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68681
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92218
182 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] 54
181 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] 61
180 sputtering 을 이용한 film depostion [1] 102
179 FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 165
178 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [1] 166
177 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [1] file 184
176 AP plasma 공정 관련 문의 [1] 196
175 Cu migration 방지를 위한 스터디 [1] 200
174 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 213
173 Etch Plasma 관련 문의 건.. [1] 224
172 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 226
171 gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [1] 245
170 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 272
169 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] 289
168 RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] 313
167 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] 353
166 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] 363
165 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] 384
164 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 392
163 PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다. [1] 395

Boards


XE Login