Deposition 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다.
2019.05.22 16:11
안녕하세요. 반도체 회사에 근무중인 회사원 입니다.
다름이 아니고 PECVD로 박막 증착 시 Radical들의 움직임에 관해 궁금한 점이 있어서 글을 올립니다.
Radical이 Wafer위에서 migration후 반응하여 island를 만들고 그 섬들이 성장하여 박막을 형성하는 것으로 알고 있는데
Radical이 가지는 에너지, 기판의 온도, 기판을 이루는 물질과의 결합에너지 등을 통해 Radical이 기판위에서
평균적으로 얼마나 움직이는지, 어느 위치를 안정적인 site로 인식하고 반응하는지 등을 알 수 있을까요?
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] | 76541 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20077 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57115 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68615 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 91697 |
182 | 플라즈마내에서의 아킹 | 43678 |
181 | ECR plasma 장비관련 질문입니다. [2] | 34920 |
180 | PEALD관련 질문 [1] | 32601 |
179 | RF에 대하여... | 31961 |
178 | RF Plasma(PECVD) 관련 질문드립니다. | 31636 |
177 | DC Bias Vs Self bias [5] | 31493 |
176 | [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문에 대한 답변 드립니다. | 29947 |
175 | PECVD에서 플라즈마 damage가 발생 조건 | 29703 |
174 | [Sputter Forward,Reflect Power] [1] | 29237 |
173 | OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [1] | 28680 |
172 | 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. | 24850 |
171 | H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] | 24636 |
170 | Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 | 24159 |
169 | Arcing | 23743 |
168 | N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] | 23720 |
167 | Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] | 22747 |
166 | Dry Etcher 에 대한 교재 [1] | 22534 |
165 | 플라즈마 코팅에 관하여 | 22086 |
164 | 질문있습니다 교수님 [1] | 22003 |
163 | 펄스바이어스 스퍼터링 답변 | 21930 |
제가 이 분야에 문외한이어서, 서울대학교 재료공학과의 황농문 교수님 혹은 성균과대학교 기계공학부의 김태성 교수님에게 문의드려 보시면 좋은 답변을 얻으실 수 있을 것 같습니다.