교수님 안녕하세요, 플라즈마 관련 공부를 하고 있는 취업준비생입니다.

ICP 장비를 공부하다가 궁금한점이 생겨서 질문 올립니다.

1. ICP장비는 소스파워로 이온 밀도를 조절하고, 바이어스 파어로 이온 에너지를 조절한다고 하는데, 소스파워는 이해가 가는데

바이어스 파워로 이온 에너지를 조절한다는 메커니즘이 이해가 안갑니다. 블로킹 커패시터를 달아서 한다고 하는데, 이해가 안가네요..


2. capacitive coupling이라는 현상으로 인해 벽이 스퍼터 되는 문제점이 발생한다고 하는데, 이 벽이 스퍼터 된다는게

플라즈마가 균일하지 않게 된다는 말일까요?


3. 이 질문은 PE CVD 관련 질문인데요, PECVD를 진행할 때 전극 면적비를 같게 하는 이유가 라디칼을 이용한 증착 방법이기 때문에

   이온의 영향을 줄이기 위함이다. 이렇게 생각했는데, 제 생각의 논리가 맞을지 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76726
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20182
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57167
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68698
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92276
789 플라즈마 설비에 대한 질문 10
788 RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] 33
787 Non-maxwellian 전자 분포의 원인 [1] 162
786 skin depth에 대한 이해 [1] 123
785 Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] 79
784 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] 85
783 ICP에서의 Self bias 효과 [1] 126
782 CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [1] file 110
781 sputtering 을 이용한 film depostion [1] 111
780 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] 58
779 플라즈마 밀도와 라디칼 [1] 206
778 Microwave & RF Plasma [1] 112
777 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [1] 178
776 ICP에서 전자의 가속 [1] 136
775 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] 53
774 Edge ring의 역할 및 원리 질문 [1] 212
773 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] 62
772 RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] 100
771 CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여 [2] file 158
770 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] 148

Boards


XE Login