교수님 안녕하세요. 디스플레이 장비사에서 근무중인 회사원입니다.

 

좋은 내용 정말 감사합니다. 많이 배우고 있습니다.

 

PECVD의 챔버와 standing wave effect에 관한 질문입니다. 

 

챔버의 크기가 클수록 standing wave effect에 의해 챔버 내의 플라즈마가 불균일 하게 형성되어 불균일한 필름이 증착되는 것으로 알고있습니다.

 

'용량결합형 전극에서 가이드링에 의한 전기장 제어' 논문(http://doi.org/10.5370/KIEE.2019.68.11.1465)의 2.1 전기장 불균일도 원인 내용에서 'Wave는 전도체 표면을 따라 전극 아래 중앙부로 이동한다. 이 현상은 축대칭으로 인해 전극 중앙 하부에서 축방향 전기정은 radial 방향으로 미분 값이 0이 되어야 한다. 따라서 전극 아래 중앙부에서는 시간에 따른 전기장이 가장 크거나 가장 작다.'
라고 설명이 나와있습니다. 

 

제가 드리고 싶은 질문은 wave가 중앙부에서 가장 강한지 궁금합니다. 또한 중심부에서 가장 큰 전기장이 형성 되더라도 전기장 에너지가 플라즈마 내부에서 확산되기 때문에 챔버 전체적으로 동일한 플라즈마 밀도를 가져야 하는것 아닌지가 궁금합니다.

 

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76538
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91694
784 ICP에서의 Self bias 효과 [1] update 11
783 파센법칙 질문 [1] update 17
782 CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [1] file 28
781 sputtering 을 이용한 film depostion [1] 82
780 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] 39
779 플라즈마 밀도와 라디칼 [1] 118
778 Microwave & RF Plasma [1] 64
777 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [1] 110
776 ICP에서 전자의 가속 [1] 104
775 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] 35
774 Edge ring의 역할 및 원리 질문 [1] 135
773 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] 50
772 RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] 74
771 CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여 [2] file 128
770 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] 93
769 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 55
768 Etch Plasma 관련 문의 건.. [1] 190
767 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] 100
766 RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] 70
765 FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 154

Boards


XE Login