Etch AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제

2022.08.22 14:09

박범훈 조회 수:539

안녕하세요, 처음으로 글을 써봅니다.

 

AlCu Etch시 Cl2, BCl3 , N2 3개의 gas를 이용하여 Etching 하고 있습니다만 Etch 후 검정색 점형태 혹은 가루같은 형태로 Dust가 남아있는 문제가 있습니다.

 

Dust 는 Copper 성분으로 생각되는데 확실하진 않습니다.

Wet으로 제거했던 경험이 있는데 Dry Etch로는 지울 수 없는건지요?

 

Etching 장비는 TCP형태입니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [300] 77903
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20780
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57698
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69198
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93550
191 Dielectric Etcher(CCP)에서 사용하는 주파수 [1] 14
190 가스 조성 및 온도에 따른 식각률 관련 질문입니다. [Arrhenius equation 이해] [1] 31
189 ExB drift 식 유도 과정에서의 질문 [삼각함수의 위상각] [1] 31
188 RF sputtering reflect power에 대해서 질문 남깁니다. 32
187 Debey Length에 대해 문의 드립니다. [플라즈마 정의와 Deybe length] [1] 67
186 플라즈마 식각 커스핑 식각량 76
185 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [부착물의 흡착 관리] [1] 105
184 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [Base pressure 이해] [1] 109
183 Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다. [Sheath 크기 및 전위 분포] [1] 125
182 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [Sheath uniformity 이해] [1] 142
181 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [1] file 210
180 Sputtering을 이용한 film deposition [진공 및 오염입자의 최소화] [1] 210
179 AP plasma 공정 관련 문의 [OES 활용 장비 플라즈마 데이터 분석] [1] 230
178 FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 231
177 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 264
176 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [Ar, O2 플라즈마 생성 특성] [1] 266
175 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 276
174 Cu migration 방지를 위한 스터디 [전자재료] [1] 277
173 gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [박막 문제] [1] 311
172 Etch Plasma 관련 문의 건.. [RF 주파수와 플라즈마 주파수] [1] 323

Boards


XE Login