Etch AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제

2022.08.22 14:09

박범훈 조회 수:257

안녕하세요, 처음으로 글을 써봅니다.

 

AlCu Etch시 Cl2, BCl3 , N2 3개의 gas를 이용하여 Etching 하고 있습니다만 Etch 후 검정색 점형태 혹은 가루같은 형태로 Dust가 남아있는 문제가 있습니다.

 

Dust 는 Copper 성분으로 생각되는데 확실하진 않습니다.

Wet으로 제거했던 경험이 있는데 Dry Etch로는 지울 수 없는건지요?

 

Etching 장비는 TCP형태입니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [182] 75020
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 18861
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 56340
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 66847
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 88316
163 Compressive한 Wafer에 대한 질문 14
162 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 50
161 PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다. [1] 125
160 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] 132
159 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 180
158 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] 193
157 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 209
156 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 239
» AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 257
154 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 301
153 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 318
152 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [1] 338
151 RF Sputtering Target Issue [2] file 351
150 기판표면 번개모양 불량발생 [1] 359
149 Polymer Temp Etch [1] 374
148 PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] 391
147 magnetic substrate와 플라즈마 거동 [3] 413
146 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] 470
145 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 509
144 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 524

Boards


XE Login