Etch AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제
2022.08.22 14:09
안녕하세요, 처음으로 글을 써봅니다.
AlCu Etch시 Cl2, BCl3 , N2 3개의 gas를 이용하여 Etching 하고 있습니다만 Etch 후 검정색 점형태 혹은 가루같은 형태로 Dust가 남아있는 문제가 있습니다.
Dust 는 Copper 성분으로 생각되는데 확실하진 않습니다.
Wet으로 제거했던 경험이 있는데 Dry Etch로는 지울 수 없는건지요?
Etching 장비는 TCP형태입니다.
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [182] | 75020 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 18861 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 56340 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 66847 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 88316 |
163 | Compressive한 Wafer에 대한 질문 | 14 |
162 | 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] | 50 |
161 | PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다. [1] | 125 |
160 | RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] | 132 |
159 | Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] | 180 |
158 | 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] | 193 |
157 | [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 | 209 |
156 | ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] | 239 |
» | AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 | 257 |
154 | Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] | 301 |
153 |
Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동
[1] ![]() | 318 |
152 | 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [1] | 338 |
151 |
RF Sputtering Target Issue
[2] ![]() | 351 |
150 | 기판표면 번개모양 불량발생 [1] | 359 |
149 | Polymer Temp Etch [1] | 374 |
148 | PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] | 391 |
147 | magnetic substrate와 플라즈마 거동 [3] | 413 |
146 | 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] | 470 |
145 | 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] | 509 |
144 | Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] | 524 |