Sheath floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [Ambipolar diffusion, Floating potential]
2008.10.26 11:30
안녕하십니까? 반도체 제조업에 종사하는 엔지니어입니다.
플라즈마 기초 토픽들을 공부하던 중 이해가 안가는 부분이 있어서 이렇게 문의드립니다.
플라즈마에 isolated (floating) substrate 를 넣었을 때, 전자와 이온이 각각 nv/4 의 flux 로
입사하고, 속도가 더 빠른 전자가 먼저 기판을 charging 시켜서 sheath 형성의 발판을
마련한다고 여러 책들에 소개되고 있는데요,
전자나 이온이 왜 기판에 capture 가 될까요? 초기에 기판은 중성이 아닌가요?
그냥 튕겨나가지 않고 왜 기판을 charging 시키는 지 이해가 되지를 않습니다. 이것을 설명할
수 있는 화학적, 혹은 전기적인 해석이 가능할까요?
답변 부탁드립니다.
댓글 2
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김곤호
2006.03.18 10:34
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hingul
2023.02.09 12:06
안녕하세요 교수님. 반도체 회사에서 공정 관련 직무를 맡고 있는 졸업생입니다. 플라즈마에 대해 공부하던 도중 의문이 풀리지 않는 부분이 있어서 질문 드립니다.
교수님께서 쓰신 답변의 두번째 문단의 마지막 문장, "이때 빠져나가는 전자가 많아지면서 상대적으로 벽면의 전위가 플라즈마 전위보다 낮아지게 됩니다." 이 부분에 대해 질문드리고 싶습니다.
저는 이 문장에 대해, 전자가 전극을 통해 먼저 많이 빠져나가면(이동도 차이에 의해) 전극은 음전하로 대전될 것이고, 쉬스 영역에서는 전자보다 느리게 빠져나가는 양이온이 축적되어 양전하를 띠게 되므로, 음전하를 띠는 전극은 양전하를 띠는 쉬스 영역보다 전위가 낮아지게 된다고 이해했습니다. (이게 맞는 이해인지는 모르겠습니다만...)
그런데 쉬스 영역은 양전하를 띠고, 벌크 플라즈마 영역은 전기적으로 중성(준중성)을 띠는데, 그렇다면 쉬스 영역이 벌크 영역에 비해 더 높은 전기퍼텐셜을 갖게 되는 것이 아닌지 하는 의문이 듭니다. 외부에서 전기장을 걸어주지 않은 경우에 말이죠.
어떤 지점의 전기 퍼텐셜은, 무한히 떨어진 곳에 위치한 단위 양전하를 그 지점까지 끌고 오기 위해 필요한 일로 정의하지 않습니까? 이 정의를 통해 양전하를 띄는 쉬스 영역으로 단위 전하를 끌고 오는 것에는 일이 필요하고, 중성인 벌크 영역으로는 일이 필요하지 않다고 생각해서 쉬스 영역이 벌크 영역보다 높은 퍼텐셜을 가져야 한다고 생각했습니다.
쉬스 영역의 퍼텐셜이 벌크 영역보다 크게 된다면 양이온은 쉬스 영역에서 벌크 영역으로 움직이는 것인데, 실제로는 양이온이 벌크 영역에서 쉬스 영역을 지나며 가속되어 전극을 향한다는 것을 고려하면 제 생각이 잘못되었다는 것은 알 수 있습니다. 그런데 전기퍼텐셜의 정의로 생각한 위 내용의 어떤 부분이 잘못된 것인지를 모르겠어서 이렇게 질문 드립니다.
이곳 질의 응답이 큰 도움과 공부가 되어 항상 감사드립니다.
- 플라즈마 내에서 전자들과 이온들의 움직임이 있으며 이들이 표면으로 나가는 경우 입사속 (flux)라 하여 이온속과 전자속이 존재합니다. 공간내에서는 사방으로 이들이 움직이며 전자가 이온보다 빠르게 움직임으로 전자 움직임을 이온이 쫒아 가며 플라즈마의 조건인 준 중성상태 (즉 전자 밀도와 이온 밀도가 거의 같은 조건)을 유지하고 있으며 사방으로 움직임으로 특징적인 결과가 나타나지 않습니다. (ambiploar diffusion 참고). 하지만 벽이나 전극면과 같은 곳에서는 이온속과 전자 속의 차이가 벽으로 유실되는 전하에 의해서 차이가 나게 됩니다. 이때 빠져나가는 전자가 많아지면서 상대적으로 벽면의 전위가 플라즈마 전위보다 낮아지게 됩니다.
- 이때(초기상태) 전극 면으로 나가는 전자의 수가 이온의 수보다 상대적으로 많으며 단락된 전극에는 전류가 흐르지 않음으로 입사되는 이온에 의해 중화되는 양을 제외한 전하 차이가 존재하게 되는 것입니다. 이로서 표면의 전위는 더욱 낮아지게 되나 한계가 존재합니다. 즉, 전극에 전류가 흐르지 않고 있음으로 시간이 지나감에 따라서 표면으로 입사되는 전류가 없어야 이 조건이 유지될 수 있을 것입니다.
- 전극에 흐르는 전류가 0이 되는 조건은 플라즈마가 없는 경우와 전극에 입사되는 이온전류와 전자전류가 같아지는 경우로, 즉 입사되는 이온속과 전자속이 같아지는 조건이 되고, 이온속은 밀도 x 속도임으로 전극의 전위가 음으로 낮아지면서 이온의 속도는 점차 빨라지게 됩니다. 결국 이온속=전자속 조건을 만족시키는 이온의 속도를 갖는 조건의 전극 전위가 floating potential (부유전위)가 됩니다. 여기서 전자는 자체의 열운동에너지가 높아 열운동 속도를 갖고 벽으로 빠져나가며 이온은 가속되면서 벽과 충돌을 합니다. 충돌시 이온의 대부분 전하는 전극 표면에 많이 존재하는 전자들을 받아들여 중성입자로 충돌해서 되 돌아오는 경우가 일반적입니다.