Etch Plasma Etch시 Wafer Edge 영향

2017.05.15 22:58

최원우 조회 수:2912

안녕하십니까 현재 Plasma Etch 업계에 종사하고있는 사원 입니다.

Plasma Etch시 Etch Rate가 Wafer Edge(주로 140mm이상)에 굉장히 민감한데

이 현상에 대한 해석을 어떻게 해야 좋을 지 모르겠습니다.

민감하다는 표현은 조건 튜닝시 Center나 Edge나 증가하거나 감소하는 현상은 동일하나

ER Map 전체를 봤을 때 Edge에 의해서 U자형(Edge Fast)이 되거나 그 반대 (Edge Low)가 되는 현상이 나타납니다.

Chamber Wall에 의한 현상으로 보기에는 Wafer 극 Edge 쪽만 해당되기에 아닐 것으로 예상합니다.

이 현상에 대한 해석이나 참고문헌등 도움이 될만한 자료를 알려주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [131] 5633
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16938
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51356
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64231
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 84429
51 DC Bias Vs Self bias [5] 30620
50 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 23765
49 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] 23298
48 Dry Etcher 에 대한 교재 [1] 22331
47 Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] 22191
46 RIE장비 에서 WALL 과 TOP 온도 20238
45 ICP 식각에 대하여... 16664
44 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] 15088
43 ICP와 CCP의 차이 [3] 11086
42 에칭후 particle에서 발생하는 현상 9148
41 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 5246
40 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 4951
39 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 4083
38 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 3836
37 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 3620
36 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 3542
35 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3514
» Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 2912
33 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2482
32 PR wafer seasoning [1] 2453

Boards


XE Login