Sheath 프리쉬스에 관한 질문입니다.

2019.03.07 20:36

JIVELY 조회 수:594

랑뮤어 프로브에 관한 논문을 읽다가 궁금하게 생겨 질문 드립니다. 

이온은 프리쉬스 영역에서 0.5(kTe/e)에 해당하는 전압강하를 통하여 bohm속도를 갖게되어 음극쪽으로 끌려가는 것으로 알고 있습니다.

논문에서는 음극에서 수집되는 전류밀도는 일정하므로 이온의 밀도는 감소하며 만약 이 이온의 밀도감소 속도가 전자의 밀도감소 속도보다 빠르게 될 경우 전자가 사라지기 전에 이온밀도가 감소하여 결국 순 전류가 음의 값을 가져 이온의 속도가 증가한다고 합니다. 따라서 이를 해결하려면 쉬스의 양의 공간 전하를 유지하기 위해 이온은 bohm속도에 해당하는 속도로 쉬스로 들어가야 한다고 나와있습니다. 

이 부분이 이해가 되질 않습니다.  프리 쉬스에 의해  bohm속도에 도달한 이온들은 쉬스영역으로 더 잘 끌려간다는 말 아닌가요? 이렇게 되면 이온밀도는 더 감소하게되는것 아닌지... 쉬스의 양의 공간전하 유지를 위해 이온밀도 감소 속도를 낮춰야 한다면서 한편으로는 쉬스영역으로 더 잘 끌려갈 수 있게 bohm 속도를 가져야 한다니... 뭔가 역설적인것 같습니다..

또 프리 쉬스가 생기는 이유에 대해서도 궁금합니다.

또 다른 한 논문에서는 "이온-중성종 간의 약한 충돌이 지배적으로 일어나는 전통적 의미의 프리쉬스 영역이 존재함을 의미" 라고 적혀있는것을 보았습니다.

이온-중성종간의 충돌이 프리쉬스의 형성과 어떤 관련이 있나요?? 아니면 그냥 프리쉬스영역에서 이온-중성종간의 충돌이 일어난다는 뜻인가요??

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76539
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
602 ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 1383
601 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] 1054
600 CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [1] 948
599 Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] 1688
598 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2662
597 매칭시 Shunt와 Series 값 [1] 1808
596 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] 3224
595 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 223
594 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] 2293
593 low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] 1336
592 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] 2270
591 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [2] 3167
590 안녕하세요 플라즈마의 원초적인 개념에서 궁금한 점이 생겨서 질문드립니다. [1] 842
589 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 1958
588 RIE에서 O2역할이 궁금합니다 [4] 3658
587 플라즈마 챔버 [2] 1205
586 Decoupled Plasma 관련 질문입니다. [1] 1040
585 플라즈마 임피던스와 Vpp가 관련이 있나요? [1] 3558
584 플라즈마 용어 질문드립니다 [1] 776

Boards


XE Login