안녕하세요,

반도체 업체에서 PVD, Descum을 담당하고 있는 엔지니어 입니다.

원래 담당이 Plasma 계열이 아니라 많은 것들이 부족하여 찾아찾아 이곳까지 발을 들이게 되었습니다. 궁금한 사항은 하기와 같습니다.

-. 현재 ICP type plasma 장비를 사용하고 있습니다.

-. ICP 설비 사용함에 있어 RF를 사용하여 coil에 bias를 인가함으로  plasma를 발생시키는 것과, platen(chuck)에 bias를 인가 하여 (-)극으로 만드는 것까지는 이해하고 있습니다.


==>  여기서, RF bias인가를 통해 platen이 (-)극으로 변경되었을 때, DC bias라는 명칭이 사용되는데(장비상 display, Vdc 또는 DC bias), 이 부분이 self bias를 통해 생성되는 bias라고 생각하면 되는 것인가요?

==> 그리고 Vdc 또는 DC bias로 display되는 전압이 혹시 DC 전원을 사용한 plasma와 동일한 영향력을 가지고 있는지 궁금합니다.

==> 영향력이 의미하는 부분은 DC 전원 사용하여 만든 음극은 electrode에 민감한 MEMS 자재를 작업하기엔 어렵기 때문에, 혹시 RF bias로 만든 DC bias가 DC전원을 사용했을 때와 동일한 effect를 가지는지가 궁금합니다.


답변주시면 감사드리겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76539
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
602 ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 1383
601 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] 1054
600 CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [1] 948
599 Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] 1688
598 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2662
597 매칭시 Shunt와 Series 값 [1] 1808
596 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] 3224
595 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 223
594 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] 2293
593 low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] 1336
592 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] 2270
591 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [2] 3167
590 안녕하세요 플라즈마의 원초적인 개념에서 궁금한 점이 생겨서 질문드립니다. [1] 842
589 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 1958
588 RIE에서 O2역할이 궁금합니다 [4] 3660
587 플라즈마 챔버 [2] 1205
586 Decoupled Plasma 관련 질문입니다. [1] 1040
585 플라즈마 임피던스와 Vpp가 관련이 있나요? [1] 3559
584 플라즈마 용어 질문드립니다 [1] 776

Boards


XE Login