Sheath 교수님 질문이 있습니다.
2019.07.01 18:46
안녕하세요 교수님 , 저는 최근들어 반도체공정관련해서 공부중인 지나가던(?) 기계공학과 학생입니다 !
다름이 아니라 , 플라즈마 sheath에 대해 찾아보니까 약간 개념적으로 정확하게 잘 정립이 안되서 이곳저곳 찾다가 이곳을 알게되어
이렇게 질문을하게 되었습니다.
플라즈마 sheath는 제가 찾아본바에 의하면 , 전자는 양이온보다 속도가 빨라서 chamber벽 같은곳에 흡수가 잘되어서 결국 소실되는게 많아
상대적으로 양이온,중성자만 많게된 곳을 sheath라고 알고있습니다. 그런데 , sheath 층은 얇을수록 플라즈마 bulk( 플라즈마 sheath가 아닌영역)안에 있는 양이온이 이동하기가 쉬워서 결국 wafer를 양이온으로 dry etch하는게 더 쉽다는데,
1.왜 sheath층이 얇을수록 양이온이 더 이동하기 쉬운지 알고싶습니다.
2. 그리고 sheath층을 줄이려면 어떤방법들이 있을까요?? ex> (답은아니겠지만...) 가해주는 전압을 줄인다. 등등 간단한식으로 말씀해주셔도 전혀 상관없습니다 !!
감사합니다 교수님 !!
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76711 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20164 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57164 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68688 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92254 |
| 93 | 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] | 1235 |
| 92 | 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] | 1225 |
| 91 | 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] | 1156 |
| 90 | Group Delay 문의드립니다. [1] | 1144 |
| 89 | 자기 거울에 관하여 | 1137 |
| 88 | 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] | 1132 |
| 87 | wafer bias [1] | 1129 |
| 86 |
전자 온도 구하기
[1]  | 1127 |
| 85 | MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] | 1116 |
| 84 | 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] | 1114 |
| 83 | 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] | 1075 |
| 82 | Decoupled Plasma 관련 질문입니다. [1] | 1050 |
| 81 | DC Plasma 전자 방출 메커니즘 | 1037 |
| 80 | 플라즈마 코팅 [1] | 1036 |
| 79 | 진학으로 고민이 있습니다. [2] | 1030 |
| 78 | 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] | 1011 |
| 77 | 아래 382 번 질문에 대한 추가 질문 드립니다. [1] | 997 |
| 76 | RF tune position 과 Vrms의 관계가 궁금합니다 [1] | 966 |
| 75 | 3-body recombination 관련 문의드립니다. [2] | 961 |
| 74 | O2 Plasma 에칭 실험이요 [1] | 957 |
쉬스에 대한 설명을 게시판에 수차례 진행되었으니 한번 더 찾아 보세요. 쉬스 크기 (두께) 가 갖는 함수식을 찾을 수 있겠습니다. 이를 쉬스 대부분은 Child-Langmuir sheath라 하고, collisionless, infinite boundary에서 형성된 쉬스로서 인가 전압 (플라즈마-타킷전압)과 플라즈마 밀도의 함수입니다. 반도체 공정을 공부함에 있어 쉬스에 대한 이해는 '필수'이니 시간 들여서 찾아 보면서 충분히 이해하기를 추천합니다.