안녕하세요. 반도체 회사에 근무 중인 김동조입니다.

소자제작 공정중 O2 플라즈마를 이용하여 표면을 처리하는 부분이 있습니다.

공정 조건은 300w, 300sccm 0.04mbar 이며 친수성을 위한 표면 처리를 하고 있습니다.

제가 궁금한 사항은 일반 상온에서의 표면의 플라즈마 효과가 어느정도 지속이 되는 것인가와,

플라즈마 처리를 한 상태에서 오븐에서 120도 12시간 열처리를 하였을 경우 플라즈마의 효과가 유효한 것인지 궁금합니다.

플라즈마에 관한건 이론적으로만 간단히 알고있었을뿐 회사에 들어오고 처음 사용해 보는 것이라 감이 잘 잡히지 않습니다.

번거로우시겠지만 답변 부탁드립니다.!! 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76722
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20172
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57165
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68696
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92273
607 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] 319
606 CVD 공정에서의 self bias [1] 3095
605 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] 3323
604 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] 1117
603 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 답변 정말 감사합니다! 1860
602 ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 1416
601 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] 1080
600 CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [1] 972
599 Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] 1750
598 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2742
597 매칭시 Shunt와 Series 값 [1] 1846
596 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] 3296
595 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 225
594 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] 2342
593 low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] 1351
592 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] 2320
591 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [2] 3202
590 안녕하세요 플라즈마의 원초적인 개념에서 궁금한 점이 생겨서 질문드립니다. [1] 855
589 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 1984

Boards


XE Login