Etch 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다.

2017.09.09 21:02

Hygoo 조회 수:1141

안녕하세요~ ETCH ENG'r 입니다.

몇가지 질문 드리려 가입했습니다.

1. W ETCH 시에 SF6 GAS를 이용하게 되는데 이 경우 WFx의 Radical이 발생하게 됩니다. 이 Radical이 특히 Chamber내에 Polymer를 많이 발생시키는 건지 궁금합니다. (옛날 논문을 참고해보면 이 공정 자체가 더러운 공정이라는 말이 있어서요..)

2. W ETCH 후 ISD 진행시에 NF3 Gas를 사용하는데 이게 어떤 반응식을 통해 Paticle 제거 효과를 보는건지 궁금합니다.

답변 달아주시면 감사하겠습니다.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76683
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20152
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57159
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68679
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92193
606 CVD 공정에서의 self bias [1] 3089
605 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] 3323
604 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] 1113
603 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 답변 정말 감사합니다! 1859
602 ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 1407
601 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] 1073
600 CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [1] 966
599 Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] 1744
598 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2731
597 매칭시 Shunt와 Series 값 [1] 1841
596 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] 3282
595 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 225
594 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] 2336
593 low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] 1344
592 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] 2308
591 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [2] 3190
590 안녕하세요 플라즈마의 원초적인 개념에서 궁금한 점이 생겨서 질문드립니다. [1] 853
589 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 1982
588 RIE에서 O2역할이 궁금합니다 [4] 3747
쓰기
태그

Boards

XE Login