안녕하세요, KAIST 핵융합 및 플라즈마 연구실 소속 석사과정 권대호입니다.

다름이 아니라, 저희 연구실에서 사용하는 CCP 장비에서 접지 관련으로 보이는 문제가 발견되어 질문 드립니다.


첨부한 사진과 같이 구성되어 있는 CCP 챔버에서, 상부전극에는 13.56MHz RF Power 를 인가하고, 하부전극은 수도관에 접지해두었습니다. 또한, 챔버역시 동일한 수도관에 연결하여 접지하여 연결하였습니다. (접지 연결은 동축케이블을 사용하였습니다.)


이후 RF Power 를 인가한 뒤 하부 전극의 전압을 오실로스코프로 측정할 때, 해당 전극을 접지하였음에도 불구하고 13.56MHz 신호가 관측이 되었습니다. 수도관 자체 및 챔버에서 또한 13.56MHz 신호가 관측되었습니다. 

처음에는 RF Power 가 제대로 차페되지 않아 생기는 문제로 추측하여 RF Power 또한 수도관에 접지하였으나 동일한 현상이 발생하였습니다. 또한, RF Power를 챔버에 연결하지 않았을 때는 RF Power 를 인가하는 경우에도 수도관 접지에서 신호가 발생하지 않았습니다.


RF Power 인가 후 관측된 13.56MHz 신호의 평균값은 항상 0V로 관측되었습니다. 또한 RF Power 의 크기를 늘릴 때마다 신호의 Vpp 값이 증가하는 것을 관측하였습니다. (RF Power 자체의 Vpp값은 측정장비가 없어 알 수 없는 상황입니다.)


위와 같은 관측을 했음에도 불구하고, CCP 장비 및 전기 장비에 대한 이해도 부족으로 적절하게 접지가 이뤄져 있는 지 조차 판단이 어렵습니다.

이에, 다음 두가지 사항을 질문드립니다.

1. 일반적으로 CCP를 접지하는 방법 혹은 PAL 에서 CCP를 접지하고 있는 방법

2. 위와 같은 구성에서 접지가 적절하게 이뤄져 있는지를 체크할 수 있는 방법


부디 조언 부탁드립니다. 감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76714
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20170
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57164
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68695
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92273
607 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] 319
606 CVD 공정에서의 self bias [1] 3095
605 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] 3323
604 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] 1117
603 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 답변 정말 감사합니다! 1860
602 ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 1415
601 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] 1079
600 CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [1] 972
599 Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] 1749
598 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2741
597 매칭시 Shunt와 Series 값 [1] 1846
596 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] 3295
595 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 225
594 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] 2342
593 low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] 1351
592 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] 2320
591 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [2] 3202
590 안녕하세요 플라즈마의 원초적인 개념에서 궁금한 점이 생겨서 질문드립니다. [1] 855
589 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 1983

Boards


XE Login