Sheath 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다.

2019.04.11 13:18

PJH 조회 수:1154

안녕하세요. 플라즈마 물리를 공부하고 있는 학생입니다.

쉬쓰천이지역쪽을 살펴보는데 이해가 안가는 부분이 있어서 질문올립니다.

 쉬쓰천이지역에서 이온의 속도를 구할 때 왜 전자의 온도를 적용하는지 모르겠습니다.

제가 사용하는 교재에는 맥스웰볼츠만식에서의 속도는 이온의 온도에 의존하는 반면에 이 쉬쓰에 들어오는 이온의 속도는 이온의 온도가 아닌 전자의 온도에 의존하므로 속도가 빨라진다. 라고만 쓰여있는 그 이유에 대해서 언급이 안되어 있습니다.

왜 그런지 알 수 있을까요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76677
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20151
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57151
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68672
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92182
606 CVD 공정에서의 self bias [1] 3087
605 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] 3321
604 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] 1112
603 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 답변 정말 감사합니다! 1859
602 ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 1404
601 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] 1072
600 CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [1] 966
599 Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] 1744
598 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2730
597 매칭시 Shunt와 Series 값 [1] 1841
596 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] 3280
595 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 225
594 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] 2336
593 low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] 1344
592 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] 2307
591 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [2] 3190
590 안녕하세요 플라즈마의 원초적인 개념에서 궁금한 점이 생겨서 질문드립니다. [1] 853
589 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 1981
588 RIE에서 O2역할이 궁금합니다 [4] 3746

Boards


XE Login