안녕하세요. 저는 반도체 업종에서 근무하고 있습니다.

궁금한 점이 있어 질문드립니다.

Amorphous carbon 을 O2 분위기하에서 플라즈마 처리 할 경우 제거되는 지 궁금합니다.

또한 TIN 막을 H2 plasma 처리 할 경우 질소가 제거 된 TI가 되는 지 궁금합니다.

챔버 내 대기압 또는 진공상태가 위의 결과에 영향을 크게 미치는 지 궁금합니다.

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [220] 75426
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19163
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 56479
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 67556
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 89365
568 연속 plasma 방전시 RF power drop 및 Reflect 발생 [1] 1256
567 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1038
566 ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [1] 5211
565 연면거리에 대해 궁금합니다. [1] 737
564 압력 변화와 Ch Impedance 상관관계 질문 [1] 1550
563 플라즈마볼 제작시 [1] file 2126
562 안녕하십니까 파워업체 연구원 입니다. (챔버쪽 임피던스 검출) [1] file 2399
561 Bais 인가 Cable 위치 관련 문의 [1] 501
560 Etcher Chamber Wall에 의도적으로 Polymer를 증착시키고 싶습니다. [2] 3202
559 좁은 간격 CCP 전원의 플라즈마 분포 논문에 대해 궁금한 점이 있습니다. [2] 16493
558 알고싶습니다 [1] 1220
557 교수님 안녕하세요, icp 관련 질문이 있습니다. [2] 2078
556 Shield 및 housing은 ground 와 floating 중 어떤게 더 좋은지요 [2] 725
555 안녕하세요 OLED 증착 시 궁금한점이있어 문의드립니다 [2] 615
554 Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [2] 2584
553 PECVD 공정 진행중 chamber wall 부분에서 보이는 plasma instability 관련 질문 드립니다. [1] 1372
552 안녕하세요. 교수님 ICP관련하여 문의드립니다. [2] 2316
551 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다 [1] 601
550 전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다. [1] file 1427
549 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [2] 3764

Boards


XE Login