Sheath 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다.
2019.04.11 13:18
안녕하세요. 플라즈마 물리를 공부하고 있는 학생입니다.
쉬쓰천이지역쪽을 살펴보는데 이해가 안가는 부분이 있어서 질문올립니다.
쉬쓰천이지역에서 이온의 속도를 구할 때 왜 전자의 온도를 적용하는지 모르겠습니다.
제가 사용하는 교재에는 맥스웰볼츠만식에서의 속도는 이온의 온도에 의존하는 반면에 이 쉬쓰에 들어오는 이온의 속도는 이온의 온도가 아닌 전자의 온도에 의존하므로 속도가 빨라진다. 라고만 쓰여있는 그 이유에 대해서 언급이 안되어 있습니다.
왜 그런지 알 수 있을까요?
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [182] | 75027 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 18870 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 56343 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 66868 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 88354 |
| 539 | Plasma arcing 관련하여 문의드립니다. [1] | 953 |
| 538 |
O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의
 | 960 |
| 537 | wafer bias [1] | 961 |
| 536 |
고전압 방전 전기장 내 측정
[1] | 963 |
| 535 | 플라즈마 관련 교육 [1] | 970 |
| 534 | OES 분석 관련해서 질문드립니다. [1] | 971 |
| 533 | RF Generator 주파주에 따른 Mathcer Vrms 변화. [1] | 972 |
| 532 | 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] | 974 |
| 531 | 플라즈마 코팅 [1] | 983 |
| 530 | Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] | 985 |
| 529 | CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] | 992 |
| 528 | ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] | 994 |
| 527 | 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] | 995 |
| 526 | N2 / N2O Gas 사용시 Plamsa 차이점 [1] | 1010 |
| 525 | 알고싶습니다 [1] | 1022 |
| 524 | Group Delay 문의드립니다. [1] | 1024 |
| 523 | standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] | 1044 |
| 522 | Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] | 1048 |
| 521 | plasma 형성 관계 [1] | 1052 |
| » | 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] | 1056 |
플라즈마 공학을 공부하다 보면 기초 물리 현상을 소개하는 부분에서 소개된 ambipolar diffusion (양극성확산)을 공부해 보세요. 아울러 본 게시판에서 쉬스와 양극성 확산에 대해서 여러번 소개가 되어 있으니 참고가 될 것 입니다. 질문은 플라즈마가 갖는 거동 특성이라 생각하면 좋습니다.