CCP PECVD와 RIE의 경계에 대해 [DC bias 형성 판단]

2021.06.21 15:35

피했습니다 조회 수:1661

안녕하세요. PECVD 방식을 사용하는 반도체 장비 회사에 다니는 엔지니어입니다.

항상 많이 배우고 있습니다 .감사합니다.

 

이번에 여쭙고 싶은것은 PECVD가 어느 순간 RIE가 되는지 입니다.

 

말씀드렸다시피 저희 회사는 PECVD를 쓰고있고, 이는 양 전극의 크기가 동일하며 두 전극의 간극(Gap)이 작아서 Wall의 영향을 받지 않기 때문에 DC bias는 영향이 거의 없고 따라서 Ion bombardment는 일어나지 않고 라디컬에 의한 화학 반응이 주를 이루게 된다고 알고 있습니다.

 

그렇다는 것은 두 전극의 크기가 동일하더라도 Gap을 늘리면 DC bias 효과를 낼 수 있다는 말인 것 같은데,

Gap을 어느정도로 확보해야 PECVD가 아닌 RIE로 부를 수 있는 걸까요?

현재는 10mm이하로 Gap을 사용하고 있습니다.

 

혹시 안된다면 이유는 무엇이고 전극의 크기가 같은 CCP 구조에서 Ion Bombardment를 일으킬 수 있는 방법이 있는지 궁금합니다.

 

감사합니다!!!

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