안녕하세요. 반도체 회사 재직중인 엔지니어 입니다. 
질문에 앞서서 항상 정성스러운 답변 주셔서 정말 감사드립니다. 

저는 wafer의 적층을 하는 PKG 부서에 있으며 wafer간의 부착과 탈착을 함에 있어

그 사이에 Deposition을 하게 되고 탈착이 양호하게 이루어지려면 막질의 적당한 hardness가 중요한 공정입니다. 

막질의 hardness를 측정하기 위해서 Deposition후 wet clean을 하여 etch amount를 측정하는데

chamber의 pm을 변경점으로 wafer의 wet etch 후 center 부분만 막질이 거의 사라져서 막질에

구멍이 난것처럼 보이는(막질 색이 거의 없어지고 wafer Si의 색만 남음)현상이 발생하고 있습니다.

(기존에는 약 센터처인트200A정도만 etch되었었는데 현재는 1000A이상 etching됨)

RF Plasma에 문제가 있다고 판단하여 점검해본 사항은 아래와 같습니다. 


 1. Heater의 tilt확인 및 shower head와의 gap 최적화 > 현상동일
2. shower head 교체 > 현상동일
3. Heater unit 재장착 > 현상동일
4. Power가 약해 막질이 약해졌을거라 추정하여 RF Generator RF PWR 실계측 시 양호
5. Generator가 정확히 RF를 쏴주지만 matcher가 챔버로 파워를 정확히 전달하지 못할거라 추정하여 matcher swap -> swap 후에도 현상동일
6. RF ROD Swap > 현상동일

 

게시글들을 살펴봤을때 Plasma의 밀도는 확산에 의해 분포하므로 중앙에서 가장 높다고 하니 

단편적으로 생각하면center 영역에서의 막질이 더욱 단단하고 멀어질수록 무를것이라고 생각했는데..

 

막질이 약해져 wet etch 후 ER이 wafer center 부분만 높아진 현상 관련 추가적으로 점검해야할 point가 어떤것이 있을까요...?

또한 막질의 단단하고 약한정도에 영향을 주는 Factor는 어떤것을이 있을까요?

 

RF 및 Plasma에 대한 기초적인 지식이 부족하여 교수님 도움을 얻고자합니다.

참고로 해당 공정은 상온(25도)에서 진행되며 약 200W 정도의 약한 전력을 사용합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [320] 85273
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 22465
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 59213
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 70915
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 97896
628 ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [ESC 영역 온도 조절] [1] 2559
627 ICP와 CCP는 단순히 플라즈마를 생서하는 방법인가요? [플라즈마 생성 기전, RIE 모드] [1] 9072
626 CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [Breakdown 전기장, 아크 방전] [3] 3849
625 ESC Dechuck과 관련하여 궁금한점이 있어 문의를 드립니다. [1] 15294
» CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [챔버 벽면 성질 및 가스 손실] [1] 1575
623 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [Light flower bulb] [1] 1161
622 RF 전류가 흐르는 Shower head를 TC로 온도 측정 할 때 [TC gauge 동작 원리] [1] 1023
621 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [Paschen's Law, P-d 방전 곡선] [1] 2547
620 데포 중 RF VDC DROP 현상 [부유 전극의 self bias 형성] [1] 1662
619 OES 분석 관련해서 질문드립니다. [Intensity 넓이 계산] [1] 1761
618 CF3의 wavelength가 궁금해서 질문드립니다. [핵융합 연구소 자료] [1] 868
617 anode sheath 질문드립니다. [Sheath 형성 메커니즘] [1] 1230
616 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [단위 Chamber의 PM 이력] [1] 887
615 플라즈마를 통한 정전기 제거관련. [플라즈마 표면 반응] [1] 898
614 RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. 1592
613 CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [Plasma information variable model] [1] 2330
612 라디컬의 재결합 방지 [해리 반응상수] [1] 982
611 LF Power에의한 Ion Bombardment [플라즈마 장비 물리] [2] 2528
610 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [DC bias 형성 판단] [1] 1747
609 전자 온도 구하기 [쉬스 전압, 스퍼터링 효과] [1] file 1388

Boards


XE Login