Plasma Source 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이
2019.03.25 18:08
온도의 차이 말고도 다른 차이가 있나요?
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76728 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20190 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57167 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68699 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92278 |
588 | 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] | 1984 |
587 | RIE에서 O2역할이 궁금합니다 [4] | 3770 |
586 | 플라즈마 챔버 [2] | 1242 |
585 | Decoupled Plasma 관련 질문입니다. [1] | 1050 |
584 | 플라즈마 임피던스와 Vpp가 관련이 있나요? [1] | 3617 |
583 | 플라즈마 용어 질문드립니다 [1] | 780 |
582 | 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] | 1670 |
581 | ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다!! [1] | 1323 |
580 | 플라즈마 이용 metal residue 제거방법 문의드립니다. [1] | 868 |
579 | RF 반사파와 이물과의 관계 [1] | 1113 |
578 | 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [1] | 403 |
577 | 압력과 플라즈마 크기의 관계가 궁금합니다. [1] | 28521 |
576 | Plasma arcing 관련하여 문의드립니다. [1] | 1354 |
575 | Load position 관련 질문 드립니다. [1] | 2436 |
574 | Fluoride 스퍼터링 시 안전과 관련되어 질문 [1] | 454 |
573 | 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] | 1104 |
572 | 플라즈마 기술관련 문의 드립니다 [1] | 6418 |
571 | ECR ion source에서 plasma가 켜지면 RF reflect가 심해집니다. [2] | 806 |
570 | Interlock 화면.mag overtemp의 의미 | 585 |
정의가 중요합니다. 고온과 저온은 우리가 생각하는 온도 범위와는 차이가 큽니다. 여기서는 주로 eV 에너지 단위를 사용해서 온도를 표시합니다. 일반적으로 온도는 플라즈마 전자의 온도로 가정해도 좋습니다.. 따라서 저온 플라즈마는 (<10eV) 정도의 전자의 열평형상태를 대표하는 온도이며, 이는 주로 산업용으로 쓰이는 플라즈마를 의미합니다. 전자에너지가 낮음은 플라즈마가 모두 이온화 되어 있지 않다는 의미이기 도하며, 이온화율을 1% 정도에서 10% 정도까지, 또는 그 미만으로 부분적으로 이온화된 상태 (partially ionization), 플라즈마 전자+이온+대부분의 중성입자 (라디털포함)으로 이뤄진 상태입니다. 반면 고온 플라즈마는 핵융합 플라즈마와 같이 전자 온도가 수십 keV를 넘는 플라즈마이며 이정도 온도를 가졌기에 대부분의 가스입자들이 완전히 이온화가 된 상태, fully ionization 상태를 의미하게 됩니다. 따라서 저온 플라즈마에서는 플라즈마의 물리적 특성과 함께 화학적 특성과 중성입자의 거동을 함께 고려해야 하며, 고온 플라즈마에서는 주로 물리적 특성과, 대부분이 자화된 상태로 구속되어 있으므로 자기장에서의 성질을 함께 고려해야 한다는 의미를 함축하고 있습니다.