Matcher 매쳐 출력값 검토 부탁 드립니다.
2019.12.19 15:17
안녕하세요.
반도체 관련 업종에 취직한 신입입니다.
현재 사내 플라즈마 테스트 장비에서의 매쳐 값을 검토 하는 중 막히는 부분이 있는 중
장비를 뜯어보기도 어렵고, 전임자는 이미 퇴사하여 혼자 이것저것 찾으며 하려니 도움 청할데가 마땅히 없어서 글 올립니다..
매쳐의 테스트 결과 데이터를 뜯어본 내용은 다음과 같습니다
XC1 = (READ_AIO(RF_LOAD) + 0.00001) * 15 * 0.000000000001;
XC2 = (READ_AIO(RF_TUNE) + 0.00001) * 5 * 0.000000000001;
A = 3.141592 * 2 * 13560000;
d1 = Power(50, 2); 제곱
d2 = Power(1 / (A * XC1), 2); 제곱
R = (50 * d2) / (d1 + d2);
J = -(d1 * 1 / (A * XC1)) / (d1 + d2) + (A * 0.0000012) - (1 / (A * XC2));
결과는 대략 z=2.269+j56.126 정도 나옵니다.
얕은 지식으로는 XC1, XC2는 매쳐에서의 직, 병렬 가변 커패시터 값을,
A는 각속도 ω, J 에서 (A * 0.0000012) 값은 인덕터 값으로 보여집니다.
하지만 이외의 값들은 어떻게 저런 계산이 도출되었는지 이해가 되지 않습니다.
일반적인 L 타입 매쳐는 아닌 것으로 보여 상기 값으로 매쳐의 임피던스가 도출 되려면 어떤 회로로 구성되어있는지 알고 싶습니다.
도움 부탁 드립니다.
감사합니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] | 76538 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20076 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57115 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68613 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 91695 |
582 | 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] | 1662 |
581 | ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다!! [1] | 1289 |
580 | 플라즈마 이용 metal residue 제거방법 문의드립니다. [1] | 860 |
579 | RF 반사파와 이물과의 관계 [1] | 1099 |
578 | 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [1] | 399 |
577 | 압력과 플라즈마 크기의 관계가 궁금합니다. [1] | 28409 |
576 | Plasma arcing 관련하여 문의드립니다. [1] | 1332 |
575 | Load position 관련 질문 드립니다. [1] | 2417 |
574 | Fluoride 스퍼터링 시 안전과 관련되어 질문 [1] | 450 |
573 | 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] | 1078 |
572 | 플라즈마 기술관련 문의 드립니다 [1] | 6416 |
571 | ECR ion source에서 plasma가 켜지면 RF reflect가 심해집니다. [2] | 792 |
570 | Interlock 화면.mag overtemp의 의미 | 578 |
569 | 플라즈마를 이용한 오존 발생기 개발 문의 件 [1] | 951 |
568 | 연속 plasma 방전시 RF power drop 및 Reflect 발생 [1] | 1450 |
567 | O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 | 1146 |
566 | ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [1] | 5462 |
565 | 연면거리에 대해 궁금합니다. [1] | 832 |
564 | 압력 변화와 Ch Impedance 상관관계 질문 [1] | 1683 |
쉽지 않은데, 이 문제는 전원 개발하는 회사에서 코멘트 해 주시면 도움이 클 것 같습니다. 매처 출력값에 대한 정의가 서로 다를 수도 있고 한데, 현업에서 사용하시는 정의에 입각해서 설명해 주실 수 있을 것 같군요. 도움을 부탁드립니다.
질문자께서는 안테나 (혹은 전극) 과 matcher 사이의 전압/전류/위상차에 대한 정보를 획득하려고 노력해 보시면 좋을 것 같습니다. 이는 플라즈마 부하 (load)를 해석함에 있어 필수 정보가 되며, 그 해석에는 회로 모델이라는 방법을 활용합니다. 전기적으로 결합하면 되는데, 일부 이 과정을 "RF플라즈마"라 부르기도 합니다. 플라즈마에서는 '플라즈마 장비 물리'라 표현하고, 전원에 의한 플라즈마 특성 변화까지 고려하는 시각을 견지합니다. 플라즈마로 부터 공정이 바뀐다고 보는 개념입니다. 따라서 전원(장비)-플라즈마-공정으로 생각의 흐름과 제어 기준을 가져 갈 수 있습니다.