Others RPC CLEAN 시 THD 발생
2018.10.25 14:48
안녕하세요 반도체 장비업체에서 일하고 있는 사람입니다.
현재 저희 설비에 2개의 CHAMBER가 달려 있습니다. RPC CLEAN을 사용하는 장비인데
두 CH가 동시에 CLEAN이 동작하게되면 공급단 POWER 관련하여 지속적인 ERROR 가 발생을 합니다.(따로 진행시 문제 없음)
고조파 측정시 2개의 CH가 동시에 CLEAN 진행시 높아지는 현상을 발견 하였으나, 그 원인을 찾기 힘들어 질문 드립니다.
POWER CABLING이 의심 되는 상황이나, CABLE 길이 및 위치, 혹은 말림 정도가 영향이 있는지 문의 드리고, 혹시 이 외에 다른 원인을 추측할만한 내용이 있을지 질문 드립니다.
현재 CABLE 연결 상태 및 POWER SUPPLY(설비단) 교체 등 다른 방법을 진행 해 보았으나, 현상이 동일하게 발생하여 설비단 보다는 공급단쪽 POWER를 의심하고 있는 상태 입니다.
혹시 이 글과 관련된 경험이 있으신분은 답변 부탁 드리겠습니다.
감사합니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76726 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20175 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57166 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68697 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92275 |
| 588 | 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] | 1984 |
| 587 | RIE에서 O2역할이 궁금합니다 [4] | 3766 |
| 586 | 플라즈마 챔버 [2] | 1241 |
| 585 | Decoupled Plasma 관련 질문입니다. [1] | 1050 |
| 584 | 플라즈마 임피던스와 Vpp가 관련이 있나요? [1] | 3615 |
| 583 | 플라즈마 용어 질문드립니다 [1] | 780 |
| 582 | 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] | 1668 |
| 581 | ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다!! [1] | 1323 |
| 580 | 플라즈마 이용 metal residue 제거방법 문의드립니다. [1] | 868 |
| 579 | RF 반사파와 이물과의 관계 [1] | 1112 |
| 578 | 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [1] | 401 |
| 577 | 압력과 플라즈마 크기의 관계가 궁금합니다. [1] | 28519 |
| 576 | Plasma arcing 관련하여 문의드립니다. [1] | 1354 |
| 575 | Load position 관련 질문 드립니다. [1] | 2435 |
| 574 | Fluoride 스퍼터링 시 안전과 관련되어 질문 [1] | 454 |
| 573 | 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] | 1103 |
| 572 | 플라즈마 기술관련 문의 드립니다 [1] | 6418 |
| 571 | ECR ion source에서 plasma가 켜지면 RF reflect가 심해집니다. [2] | 806 |
| 570 | Interlock 화면.mag overtemp의 의미 | 585 |
제 생각에는 2개의 chamber가 cross talk을 하는 것 같습니다. Rf shield 와 ground 부분의 강화가 필요하지 않을까 합니다만,
경험자 및 전문가의 의견을 기다리겠습니다.