Etch DRAM과 NAND에칭 공정의 차이
2018.08.06 11:06
안녕하십니까?
DRAM과 NAND에칭 공정의 차이가 궁금합니다.
공정에서 주입되는 가스의 종류와 전기적 즉 HF/LF VPP의 차이도 있는거 같습니다.
DRAM과 NAND의 소자구조와 기능은 알겠으나.....공정조건의 차이가 왜나는지가 궁금합니다.
막질이 다름으로 인해...사용되는가스가 다른건지요?
공정조건이 다른 가장 큰 이유가 궁금합니다.
확인부탁드립니다.
감사합니다. 수고십시오.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76727 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20183 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57167 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68699 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92277 |
569 | ESC Chuck Pit 현상관련 문의 드립니다. | 16946 |
568 | 플라즈마 처리 | 16932 |
567 | ICP 식각에 대하여... | 16916 |
566 | Virtual Matchng | 16853 |
565 | sputter | 16845 |
564 | nodule의 형성원인 | 16757 |
563 | 좁은 간격 CCP 전원의 플라즈마 분포 논문에 대해 궁금한 점이 있습니다. [2] | 16654 |
562 | 몇가지 질문있습니다 | 16578 |
561 | CCP 의 electrode 재질 혼동 | 16485 |
560 | 플라즈마의 어원 | 16334 |
559 | 궁금해서요 | 16315 |
558 | 궁금합니다 [1] | 16177 |
557 | 공정검사를 위한 CCD 카메라 사용 | 16067 |
556 | 플라즈마로 처리가 어떻게 가능한지 궁금합니다. [1] | 16035 |
555 | 핵융합과 핵폐기물에 대한 질문 | 16023 |
554 | 역 수소폭탄에 대하여... | 16009 |
553 | k star | 15955 |
552 | ICP TORCH의 냉각방법 | 15919 |
551 | corona | 15886 |
550 | Sputtering 중 VDC가 갑자기 변화하는 이유는 무엇인가요? | 15885 |
염근영교수님의 저서 "플라즈마 식각 기술 (미래컴 출판사)"를 추천합니다.