Etch etching에 관한 질문입니다.

2018.08.14 14:59

juhyok 조회 수:2243

안녕하세요. 반도체취업을 준비하고있는 취준생입니다. 실험도중 궁금증이 생겨 질문드립니다.

가스의 유량을 달리하여 etch rate를 비교하기 위한 실험을 했습니다.


ethcant gas인 ch4는 고정시키고

Ar가스를 30sccm 그리고 60sccm 이렇게 두가지 실험을 하였습니다.


질문1. 60sccm이 더 깊게 에칭되는것을 기대하였는데 오히려 덜 에칭되었습니다. 이유가 무엇인가요?

질문2. Ar가스 유량을 늘리는것이 etch속도가 빨라지는것은 맞나요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76539
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
563 플라즈마볼 제작시 [1] file 2214
562 안녕하십니까 파워업체 연구원 입니다. (챔버쪽 임피던스 검출) [1] file 2565
561 Bais 인가 Cable 위치 관련 문의 [1] 542
560 Etcher Chamber Wall에 의도적으로 Polymer를 증착시키고 싶습니다. [2] 3308
559 좁은 간격 CCP 전원의 플라즈마 분포 논문에 대해 궁금한 점이 있습니다. [2] 16645
558 알고싶습니다 [1] 1438
557 교수님 안녕하세요, icp 관련 질문이 있습니다. [2] 2289
556 Shield 및 housing은 ground 와 floating 중 어떤게 더 좋은지요 [2] 925
555 안녕하세요 OLED 증착 시 궁금한점이있어 문의드립니다 [2] 745
554 Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [2] 2805
553 PECVD 공정 진행중 chamber wall 부분에서 보이는 plasma instability 관련 질문 드립니다. [1] 1437
552 안녕하세요. 교수님 ICP관련하여 문의드립니다. [2] 2451
551 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다 [1] 672
550 전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다. [1] file 1587
549 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [2] 4361
548 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 1107
547 플라즈마 PIC 질문드립니다. [1] 10370
546 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2388
545 O2 Asher o-ring 문의드립니다. [1] 878
544 진공장치 챔버내 산소 또는 수분 제거 방법에 대해 [1] 3672

Boards


XE Login