Sheath 교수님 질문이 있습니다.
2019.07.01 18:46
안녕하세요 교수님 , 저는 최근들어 반도체공정관련해서 공부중인 지나가던(?) 기계공학과 학생입니다 !
다름이 아니라 , 플라즈마 sheath에 대해 찾아보니까 약간 개념적으로 정확하게 잘 정립이 안되서 이곳저곳 찾다가 이곳을 알게되어
이렇게 질문을하게 되었습니다.
플라즈마 sheath는 제가 찾아본바에 의하면 , 전자는 양이온보다 속도가 빨라서 chamber벽 같은곳에 흡수가 잘되어서 결국 소실되는게 많아
상대적으로 양이온,중성자만 많게된 곳을 sheath라고 알고있습니다. 그런데 , sheath 층은 얇을수록 플라즈마 bulk( 플라즈마 sheath가 아닌영역)안에 있는 양이온이 이동하기가 쉬워서 결국 wafer를 양이온으로 dry etch하는게 더 쉽다는데,
1.왜 sheath층이 얇을수록 양이온이 더 이동하기 쉬운지 알고싶습니다.
2. 그리고 sheath층을 줄이려면 어떤방법들이 있을까요?? ex> (답은아니겠지만...) 가해주는 전압을 줄인다. 등등 간단한식으로 말씀해주셔도 전혀 상관없습니다 !!
감사합니다 교수님 !!
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쉬스에 대한 설명을 게시판에 수차례 진행되었으니 한번 더 찾아 보세요. 쉬스 크기 (두께) 가 갖는 함수식을 찾을 수 있겠습니다. 이를 쉬스 대부분은 Child-Langmuir sheath라 하고, collisionless, infinite boundary에서 형성된 쉬스로서 인가 전압 (플라즈마-타킷전압)과 플라즈마 밀도의 함수입니다. 반도체 공정을 공부함에 있어 쉬스에 대한 이해는 '필수'이니 시간 들여서 찾아 보면서 충분히 이해하기를 추천합니다.