Matcher Matcher의 Load, Tune 영향을 미치는 요소가 궁금합니다.
2019.07.22 10:20
다른 질문사항에 Matcher 매칭회로에서 Load, Tune에 관한 설명을 봤는데요
공정을 진행하다보면 간헐적으로 Load, Tune 값이 바뀌며 Vpp drop이 발생합니다.
PEALD 장비에서 Load와 Tune 값에 영향을 미치는 요소들이 뭐가 있을지 궁금합니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [182] | 75027 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 18871 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 56344 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 66872 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 88354 |
499 |
임피던스 매칭회로
[1] ![]() | 2447 |
498 | 전쉬스에 대한 간단한 질문 [1] | 484 |
497 | CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] | 1401 |
496 | glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] | 1174 |
495 | plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] | 2636 |
494 | 대학원 진학 질문 있습니다. [2] | 949 |
493 | 질문있습니다. [1] | 2334 |
492 | chamber impedance [1] | 1846 |
491 | PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] | 2325 |
490 | 플라즈마 관련 기초지식 [1] | 1780 |
489 | 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] | 4709 |
488 | [질문] Plasma 장비에 대한 Monitoring 질문 [2] | 1226 |
487 | Ion과 Radical의 이동 거리 및 거리에 따른 농도와 증착 품질 관련 [1] | 582 |
» | Matcher의 Load, Tune 영향을 미치는 요소가 궁금합니다. [2] | 5929 |
485 | EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] | 1286 |
484 | ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] | 994 |
483 | matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] | 2506 |
482 | HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? | 2669 |
481 | 교수님 질문이 있습니다. [1] | 638 |
480 | wafer bias [1] | 961 |
좋은 질문입니다. 이전 matcher + plasma 임피던스 연결 회로를 알고 계시리라 예상하고 말씀드립니다. 일반적으로 deposition 장비에서는 내부 임피던스의 변화가 큽니다. 전극 및 벽면에서 박막층이 형성되므로 반응기 임피던스 및 방전 플라즈마의 임피던스 바뀌게 됩니다. 플라즈마는 벽면 기준으로 형성되며 벽면에서 플라즈마 쪽으로 들어오는 byproduct들은 플라즈마 밀도를 증가시키고 온도는 낮추게 되고, 이에 따른 임피던스 변화를 보상하기 위해서 매처의 cap 위치가 바뀌게 됩니다. 따라서 cap 변화가 커진다는 말은 장비벽 혹은 전극에 deposition 이 심하게 일어나고 있음을 의미하게 되므로, 이 신호를 잘 추적해서 벽면 클리닝 운전을 판단하는 자료로 활용해 보세요. 공정 재현성이 훨씬 좋아 질 것입니다. 나아가, 이를 경시변화 제어에도 활용하고, PM 결정의 자료로서도 활용할 수 있겠습니다.