Process 플라즈마 에칭과 표면처리의 차이점 질문드립니다. [Cleaning, sputter etching, RIE]
2021.04.02 10:31
안녕하세요, 의료기기 회사에 재직중인 회사원입니다.
최근 사내 내부학습 개념으로 패럴린과 같은 고분자화합물 과 플라즈마 표면처리, 에칭 등의 공부를 하고 있습니다.
스스로나 주변에도 해당 지식이 없는 사람들 뿐이라 인터넷으로 겨우겨우 찾아보며 알아가는 실정입니다.
질문드리고자 하는 내용은 에칭과 표면처리에 대한 차이점 입니다.
먼저 제가 이해하고 있기로는
표면처리는 보드기판이나 어떠한 물질에 고분자화합물을 코팅하게 되면 증착이 잘 되지 않으므로
플라즈마를 이용해 표면처리(활성화) 를 한 뒤 코팅을 하여 증착력을 높히는 것 과
에칭은 증착된 코팅물질을 없애는 방법 이라고 이해 했습니다.
헌데 표면처리 라는 것도 보드의 표면에 있는 이물질이나 원자? 등을 제거하는 것이라고도 생각이 되는데
그렇다면 표면처리를 오래 한다거나 강하게 하면 그것이 에칭이 되는것인가요?
표면처리에 사용되는 제품은 에칭으로는 사용을 못하는 것인가요?
질문의 수준이 매우 낮을지도 모르겠네요... 이해 부탁드립니다.
개념적 설명을 드립니다.
물질 표면을 처리하는데, 불순물을 제거하는 경우 cleaning (세정)이라 하고 식각(bulk 물질을 떼어내는 공정)을 식각이라 합니다. 식각에는화학적 반응으로 통해서 입자가 기화하게 해서 떼어내는 방법은 화학적 식각이라 하며, 물리적 힘 (입자의 운동량)을 주어서 떼어 내는 경우를 sputter etching 이라 하고 화학 반응에 에너지가 개입하여 식각률을 높이는 경우, 일반적으로 반도체 공저에서 사횽하는 경우의 식각을 (reactive ion etching : RIE)라고 표현하고 있습니다. 정확한 정의는 아니나 개념적으로 접근하기에 유용했으면 합니다.
식각 공정을 설명하는 책자들이 많이 있으니 교재를 참고하시기를 추천합니다