안녕하세요. 플라즈마 장비를 다루면서 당연시 생각했던건데 이유를 생각해보면 

막상 안떠오를때가 있습니다. 그래서 몇가지 질문드리려고요.

1.같은 메이커 같은 모델의  장비를 쓸때에도 depo rate, etch rate가 제각기 다른데

이런이유를 어떻게 설명해야될까요..

2.하루종일 장비를 안쓰면 etch rate가 달라지는데 leak가 있어서 진공이 달라진것도

아닌데 왜 이런현상이 일어날까요? 이런 현상때문에 일부러 dummy wafer를 칠때가

있습니다.

3.chamber를 open한 직후와 많이 양산이 돌아간 상태에서 마찬가지로 rate가 달라지는데

이유가 있을까요?

4.chamber 벽 표면의 물질이 달라지면 플라즈마의 특성, 쉬스 이런것들이 달라지나요?

(Sputter 장비에서 shield의 부산물 포획특성을 위해 coating의 물질을 바꾸는 경우가 있어

문의드립니다)

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [313] 79364
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21294
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58094
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69649
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 94491
60 RF magentron sputtering시 플라즈마 off 현상 [Sputter 문제] [1] 794
59 플라즈마 진단 공부중 질문 [Balance equation] [1] 791
58 코로나 전류가 0가까이 떨어지는 현상 [전극 설계 및 방전기 운전 모드 개발] [1] 774
57 Plasma Reflect를 관리하는 방법이 있을까요? [임피던스 매칭] [1] 768
56 Arcing과 Self-DC Bias Voltage 상관 관계 [Self bias와 DC glow 방전] [1] 760
55 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의 [Self bias] [1] 752
54 프리쉬스에 관한 질문입니다. [Ambipolar diffusion 및 collisionless sheath] [1] 667
53 Co-relation between RF Forward Power and Vpp [RF ground] [1] 659
52 수중속 저온 플라즈마 방전 관련 질문 드립니다. [방전 특성과 절연 파괴] [2] file 654
» 간단한 질문 몇개드립니다. [공정 drift와 database] [1] 645
50 Sheath와 Plasma Bulk에 걸리는 전압 관련 문의 [Sheath impedance] [1] 644
49 Frequency에 따라 플라즈마 영역이 달라질까요? [전자와 이온의 열운동 특성과 반응 거리] [1] 633
48 전쉬스에 대한 간단한 질문 [Debye length 및 sheath 형성] [1] 611
47 self bias [쉬스와 표면 전위] [1] 601
46 안녕하세요 자문을 구할 수 있을지 궁금합니다. [E x B drift] [1] file 591
45 안녕하세요, RPS나 DEPOSITION 간에 발생하는 ELECTRON TEMPERATURE가 궁금합니다. [플라즈마 충돌 반응] [1] 575
44 자외선 세기와 결합에너지에 대해 질문드립니다. [UV energy] [1] 570
43 standing wave effect, skin effect 원리 [Maxwell 방정식 이해] [1] 569
42 플라즈마 밀도와 라디칼 [플라즈마 충돌 반응] [1] 568
41 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [방전 기전] [1] 562

Boards


XE Login