Etch DRAM과 NAND에칭 공정의 차이

2018.08.06 11:06

베컴 조회 수:4504

안녕하십니까?


DRAM과 NAND에칭 공정의 차이가 궁금합니다.


공정에서 주입되는 가스의 종류와 전기적 즉 HF/LF VPP의 차이도 있는거 같습니다.

DRAM과 NAND의 소자구조와 기능은 알겠으나.....공정조건의 차이가 왜나는지가 궁금합니다.

막질이 다름으로 인해...사용되는가스가 다른건지요?

공정조건이 다른 가장 큰 이유가 궁금합니다.


확인부탁드립니다.


감사합니다. 수고십시오.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [62] 1692
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 5827
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 49539
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 59751
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [1] 76025
423 glass에 air plasma 후 반응에 대해 질문이 있습니다. [1] 314
422 OES를 활용한 excitation temperature 분석 질문입니다. [1] 5256
421 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 836
420 해수에서 플라즈마 방전 극대화 방안 [1] file 379
419 고전압 방전 전기장 내 측정 [1] file 726
418 RF 변화에 영향이 있는건가요? 10240
417 코로나 방전 처리 장비 문의드립니다. [1] 337
416 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 533
415 코로나 전류가 0가까이 떨어지는 현상 [1] 441
414 etching에 관한 질문입니다. [1] 1129
413 코로나 방전의 속도에 관하여... [1] 2650
412 RF Vpp 관련하여 문의드립니다. [1] 4583
» DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 4504
410 (PAP)plasma absorption probe관련 질문 [1] 324
409 Si Wafer Broken [2] 1585
408 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 917
407 I-V characteristic에 관하여 질문이 있습니다. [1] 771
406 플라즈마 기초에 관하여 질문드립니다. [1] 781
405 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 1345
404 OES 원리에 대해 궁금합니다! [1] 20114

Boards


XE Login