아래 그림과 같이 SiN위에 poly 식각을 하려 합니다.

poly 주변에는 산화막이 형성되어있는 상태입니다.

바닥 poly의 damage는 줄이면서 상단 poly만 제거하고 싶은데

효과적인 방법이 있을까요? 조언 부탁드립니다.


번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76543
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20078
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57116
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68615
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91697
563 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] 1062
562 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 1063
561 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 1074
560 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] 1079
559 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] 1088
558 전자 온도 구하기 [1] file 1099
557 RF 반사파와 이물과의 관계 [1] 1099
556 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] 1101
555 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 1109
554 PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [1] 1114
553 wafer bias [1] 1119
552 Plasma Ignition 시 Gas 사용에 대한 궁금증 요청드립니다. [1] 1120
551 RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [1] file 1122
550 반도체 관련 플라즈마 실험 [1] 1124
549 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] 1124
548 자기 거울에 관하여 1130
547 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1133
546 Group Delay 문의드립니다. [1] 1135
545 공정플라즈마 [1] 1136
544 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] 1141

Boards


XE Login