안녕하세요 RPS 식각장비을 사용하는 중 문제가 발생하여 문의드립니다.


현재 RPS 장비를 이용한 폴리머 (SU-8, epoxy계열)의 식각 공정을 하는데, 주로 골드가 증착된 웨이퍼 위에 코팅한 폴리머를 지우는 용도로 쓰고있습니다.


사용하는 가스는 N2, O2, CF4 가스를 사용하고 있으며, 공정 조건은 0.45Torr 압력의 40도 공정조건을 사용하고 있습니다.


헌데 얼마전부터 에칭과정에서 골드기판이 손상되는 현상이 발생하였는데, 아직 그 원인을 찾지 못하고 있습니다. 이론적으로는 메탈이 손상될 일이 없어야하는걸로 알고 있습니다. 잠정적으로는. 폴리머 애칭시 생성되는 byproduct (HF) 에 의한 손상이라 생각되는데, HF의 높은 증기압을 생각하면 꼭 그렇지도 않은것 같고, 챔버의 벤팅문제라 생각되어 펌프를 정비받았으나, 이 또한 문제가 없다고 합니다. 


골드기판이 손상되는 경우에는 보통 풀라즈마 밝기가 평소보다 약하게 발생하는 특징이 있습니다. 이제는 플라즈마 정비 내부에 문제가 있다 생각이 되는데 교수님 의견을 듣고 싶습니다. 감사합니다

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76726
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20178
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57166
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68697
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92275
549 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [3] 4484
548 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 1120
547 플라즈마 PIC 질문드립니다. [1] 10378
546 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2451
545 O2 Asher o-ring 문의드립니다. [1] 889
544 진공장치 챔버내 산소 또는 수분 제거 방법에 대해 [1] 3746
543 자외선 세기와 결합에너지에 대해 질문드립니다. [1] 484
542 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2260
541 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] 1792
540 CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [3] 3701
539 플라즈마 살균 방식 [2] 11446
538 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 1376
537 RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [1] 2392
536 H-field 측정위치에 따른 H Field MAP 변화 관련 [1] 434
535 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 1087
534 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [2] 3191
533 O2 plasma, H2 plasma 처리 관련 질문이 있습니다. [1] 6436
532 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 1243
531 RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] 2378
530 쉬스(sheath)에서 전자와 이온의 감소 관련하여 질문 [1] 1906

Boards


XE Login