Etch Dry Etching Uniformity 개선 방법

2016.03.02 17:46

돌맹 조회 수:4270

안녕하세요? nano imprint 및 etching을 이용하여 패턴 가공을 하는 직장인 입니다.

Al 에칭 시 전체적인 Uniformity가 잘나오지 않습니다. 항상 한쪽으로(같은 방향) 쏠리어 에칭이 됩니다.

여러 조건들 SRC,Bias 파워,유량 조절, 압력 조절 등 조건 변경하여 해보았으나 마찬가지 형태로 진행이 됩니다.

Etcher 장비는 최대 8inch 까지 가능한 장비이며 에칭 가스는 Cl2, BCl3 사용 중입니다.


uniformity 개선 관련하여 어떠한 방법이 있을까요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76728
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20190
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57167
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68699
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92278
549 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [3] 4486
548 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 1120
547 플라즈마 PIC 질문드립니다. [1] 10378
546 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2453
545 O2 Asher o-ring 문의드립니다. [1] 889
544 진공장치 챔버내 산소 또는 수분 제거 방법에 대해 [1] 3749
543 자외선 세기와 결합에너지에 대해 질문드립니다. [1] 484
542 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2261
541 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] 1795
540 CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [3] 3704
539 플라즈마 살균 방식 [2] 11448
538 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 1376
537 RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [1] 2396
536 H-field 측정위치에 따른 H Field MAP 변화 관련 [1] 434
535 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 1087
534 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [2] 3193
533 O2 plasma, H2 plasma 처리 관련 질문이 있습니다. [1] 6436
532 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 1243
531 RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] 2379
530 쉬스(sheath)에서 전자와 이온의 감소 관련하여 질문 [1] 1908

Boards


XE Login