Remote Plasma RPG Cleaning에 관한 질문입니다.
2019.06.26 09:28
안녕하세요.
반도체 사업에 종사중이며, PECVD장비를 다루고 있습니다.
SiN, SiO Film 을 증착시, NF3 가스로 RPG를 사용해 Cleaning을 진행합니다.
몇몇 글을 보며, in-situ plasma를 동시에 사용하여, N2O / O2를 공급하면, Cleaning 효율이 좋다고 하는 것 같습니다.
다음에 대한 질문을 드리고 싶습니다.
1. Film 증착 시 SiH4 및 H2 Gas를 사용하는데, Cleaning 시 O2 Gas 를 사용해도 안전상 문제가 없을까요?
2. RPG를 이용한 Cleaning Process 이후, 잔여 Fluorine Gas 는 HF 형태로 잔존하고 있는 걸까요?
3. 2번에서 Cleaning Process 이후 잔여 Fluorine Gas 를 제거하는 방법이 따로 있을까요?
작은 경험이나마, Low Vacuum 에서 High Vacuum으로 전환 시 Plasma 방전 유무에 따라 Pumping Time이 확연히 차이나기는 했습니다.
감사합니다.
댓글 2
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76727 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20183 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57167 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68699 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92278 |
549 | 공정플라즈마 [1] | 1145 |
548 | 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] | 1156 |
547 | O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 | 1156 |
546 | RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [1] | 1156 |
545 | 대학원 진학 질문 있습니다. [2] | 1157 |
544 | 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [1] | 1162 |
543 | Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] | 1167 |
542 | PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [1] | 1172 |
541 | Plasma Ignition 시 Gas 사용에 대한 궁금증 요청드립니다. [1] | 1175 |
540 | ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] | 1177 |
539 | 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] | 1183 |
538 | RF Generator 주파주에 따른 Mathcer Vrms 변화. [1] | 1191 |
537 | micro plasma에 사용되는 전력을 알고 싶습니다. [1] | 1220 |
536 | 반도체 관련 플라즈마 실험 [1] | 1223 |
535 | 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] | 1226 |
534 | 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] | 1237 |
533 | RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] | 1239 |
532 | 플라즈마 챔버 [2] | 1242 |
531 | Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] | 1243 |
530 | 임피던스 매칭 및 플라즈마 진단 [1] | 1270 |