Others Plasma potential이.. 음수가 될수 있나요?..

2004.06.19 16:47

관리자 조회 수:15635 추천:287

질문 :
안녕하세요..
항상 좋은 정보를 얻어가고 있는 대학원생입니다.
교수님이 추천해주셨던
David.N. Ruzic 이 쓴 책
"Electric probes for Low temperature plasmas"
에 보면... Plasma potential의 결정방법(pp62)에서
Plasma potential값이 음수값이 나옵니다.
벌크 플라즈마에서 빠져나간 전자에 의해 플라즈마는 chamber wall에 비해 상대적으로 전기적 positive한 상태를 갖게 될텐데 chamber wall이 접지가 된상태라면 절대 음수가 나올수 없을것 같습니다.
저희 실험실은 TCP를 사용하고 있습니다. 자체 제작한 Langmuir probe로 진단을 해봤지만 plasma potential이 음수값을 보인적은 없었습니다. 플라즈마 조건에 따라 다르지만 대략 20~30V정도의 양수값을 보이고 있습니다.
제 생각이 잘못된것인지.. 아니면 다른 특별한 경우가 있는것인지 궁금합니다.  그럼 좋은 답변 기다리겠습니다.
끝으로 교수님 연구실에 끊임없는 발전이 있길 빌겠습니다.

===============================================================================

답변 :

음수 플라즈마 전위에 대해서 질문하셨습니다. 좋은 질문입니다.

질문자의 예상대로 기준점, 즉 접지를 기준으로 한다면 플라즈마 전위는 양의 값이 나와야 합니다.
이를 좀더 구체적으로 말하면, 우리가 플라즈마 전위를 말할 때 주의해야 할 점이 있다면  플라즈마 전위는 플라즈마의 부유 전위를 기준으로 항상 양이라는 점입니다. 플라즈마의 부유전위는 실제 플라즈마가 벽으로 빠져나가면서 전자 전류와 이온 전류가 균형을 이루면서 형성하는 벽 전위로 플라즈마 내에서 전위를 이야기 할 때 기본이 됩니다. 예를 들어 플라즈마가 도체로 둘러쌓여 있고 그 벽이 접지되어 있다면 기준 전위인 부유전위도 거의 접지 전위와 비슷할 것이며 이를 기준으로 플라즈마 온도의 3-5배 정도의 전위가 플라즈마 전위가 될 것 입니다. 하지만 부도체 예를 들자면 유리 관 벽의 전위는 음전하가 많이 하전되어 전위가 음이며 아울러  플라즈마 부유 전위도 음 값을 갖게 되고 따라서 플라즈마 전위도 음수값을 나타냅니다. 여기서 음의 값이란 플라즈마와 상관 없는 밖에서 관찰하고 있는 관찰자의 기준 값이 접지 값이기 때문에 나타나는 결과입니다.
결국 플라즈마 전위가 음의 값을 갖음은 결코 이상한 일이 아닐 수 있습니다.

Ruzic은 hollow cathode 플라즈마에서 얻은 탐침 자료를 소개하였는데 탐침 자료가 얻어진 플라즈마의 반응기의 특성 혹은 탐침의 위치등에 대한 구체적인 언급이 없어 어떤 이유를 음의 값을 나타내고 있는 지 알 수 없으며 추정만 가능할 뿐입니다. 따라서 보다 정확하게 탐침 자료를 해석하고 분석하기 위해서는 플라즈마  발생기 구조, 특성, 탐침기의 위치, 크기, 형태, 및 플라즈마 발생 조건등에 관한 상세한 자료가 필요합니다.



번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76663
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20149
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57149
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68669
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92152
547 대학원 진학 질문 있습니다. [2] 1153
546 RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [1] file 1153
545 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] 1154
544 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] 1156
543 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [1] 1159
542 PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [1] 1159
541 Plasma Ignition 시 Gas 사용에 대한 궁금증 요청드립니다. [1] 1164
540 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 1173
539 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 1179
538 RF Generator 주파주에 따른 Mathcer Vrms 변화. [1] 1187
537 반도체 관련 플라즈마 실험 [1] 1216
536 micro plasma에 사용되는 전력을 알고 싶습니다. [1] 1217
535 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] 1223
534 RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] 1233
533 플라즈마 챔버 [2] 1234
532 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] 1235
531 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 1240
530 Wafer Warpage에 따른 CCP Type Chamber 내부 Impedance [1] 1256
529 임피던스 매칭 및 플라즈마 진단 [1] 1262
528 ICP Chamber Type의 Belljar Arcing관련 문의드립니다. [2] 1268

Boards


XE Login