Etch Dry Etching Uniformity 개선 방법
2016.03.02 17:46
안녕하세요? nano imprint 및 etching을 이용하여 패턴 가공을 하는 직장인 입니다.
Al 에칭 시 전체적인 Uniformity가 잘나오지 않습니다. 항상 한쪽으로(같은 방향) 쏠리어 에칭이 됩니다.
여러 조건들 SRC,Bias 파워,유량 조절, 압력 조절 등 조건 변경하여 해보았으나 마찬가지 형태로 진행이 됩니다.
Etcher 장비는 최대 8inch 까지 가능한 장비이며 에칭 가스는 Cl2, BCl3 사용 중입니다.
uniformity 개선 관련하여 어떠한 방법이 있을까요?
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76726 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20178 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57166 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68697 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92275 |
549 | 공정플라즈마 [1] | 1145 |
548 | 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] | 1156 |
547 | O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 | 1156 |
546 | RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [1] | 1156 |
545 | 대학원 진학 질문 있습니다. [2] | 1157 |
544 | 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [1] | 1162 |
543 | Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] | 1167 |
542 | PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [1] | 1172 |
541 | Plasma Ignition 시 Gas 사용에 대한 궁금증 요청드립니다. [1] | 1174 |
540 | ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] | 1177 |
539 | 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] | 1183 |
538 | RF Generator 주파주에 따른 Mathcer Vrms 변화. [1] | 1191 |
537 | micro plasma에 사용되는 전력을 알고 싶습니다. [1] | 1220 |
536 | 반도체 관련 플라즈마 실험 [1] | 1222 |
535 | 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] | 1226 |
534 | 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] | 1236 |
533 | RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] | 1239 |
532 | 플라즈마 챔버 [2] | 1241 |
531 | Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] | 1243 |
530 | 임피던스 매칭 및 플라즈마 진단 [1] | 1270 |
장치 구조와 발생 방법등 해석에 고려할 바는 매우 많아 단순히 답을 하기 어렵습니다. 다만 장치가 갖고 있는 플라즈마 분포를 관찰해 볼 수가 있다면 (장비 제조 회사가 제공하는 자료 기반으로) 장치가 갖고 있는 태생적 문제 등을 판단해 볼 수 있겠고 (예를 들어서 VHF를 쓰고 있다면 standing wave 효과로 인한 (플라즈마 물리적 현상) 문제로 볼 수 있겠습니다.) 직관적으로는 gas flow 등의 shower head 의 구조 및 전극의 구조, 펌프의 위차, load lock에 의한 boundary 의 비대칭성, 전극의 열 분포, 및 바이어스 접지 등의 구조적 문제인지 판단할 수 있을 것입니다.
다음 부터는 실명을 사용해 주세요!