안녕하세요, 반도체 장비 회사에서 PECVD(TICL4 + H2 를 이용한 TI)설비를 개발하고 있는 엔지닝어입니다. 여기문의하는 것이 맞는 것인지 모르겠지만 일단 여쭤보겠습니다.


최근 고객사 측에서 PM 초기 TI 막질의 두께가 낮고 THK range 가 크다는 VOC 가 있어서 개선 방안을 고민하던 중에 precoat recipe 를 변경하는 test 를 진행하고 있습니다.  wafer 위에 depo 하는 recipe 는 그대로 두고 PM 후 CH 내부에 precoat 할 때 사용하는 recipe 만 변경하는 test 입니다.


변경 내용은 stage heater 와 showerhead 간 gap 을 변화시키는 것인데요, 기존 13.5mm 에서 11mm 로 gap 을 줄이니 thk range 가 감소하고 avg thk 가 높아지는 결과를 확인했습니다.


여기서 질문드립니다. depo recipe 도 아닌 precoat recipe 의 showerhead <-> heater gap 을 줄였는데 왜 막질의 두께와 산포가 바뀌는 것일까요?

rough 하게나마 가설을 세워보면 .....


 gap 을 줄임(1)

=> plasma 가 뜨는 공간의 부피가 감소했고(plasma 밀도는 증가?) (2)

=> heater 위에 precoating 되는 TI 막질 변화 (3)

=> wafer 가 depo 될 때 받는 heat 산포가 uniform 한 방향으로 바뀜 (4)

=> wafer 위에 depo 되는 막질의 thk avg, thk range 가 바뀜 (5)


이정도인데요, 어떻게 생각하시는지 궁금합니다.


번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76543
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20078
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57116
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68615
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91697
543 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [1] 1144
542 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] 1145
541 대학원 진학 질문 있습니다. [2] 1147
540 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1147
539 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 1159
538 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 1173
537 RF Generator 주파주에 따른 Mathcer Vrms 변화. [1] 1176
536 Wafer Warpage에 따른 CCP Type Chamber 내부 Impedance [1] 1194
535 micro plasma에 사용되는 전력을 알고 싶습니다. [1] 1205
534 플라즈마 챔버 [2] 1208
533 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] 1211
532 RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] 1216
531 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] 1232
530 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 1234
529 임피던스 매칭 및 플라즈마 진단 [1] 1250
528 ICP Chamber Type의 Belljar Arcing관련 문의드립니다. [2] 1267
527 플라즈마에서 가속 전압 또는 RF 파워 관련 질문드려요. [1] 1268
526 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 1268
525 플라즈마 기초입니다 [1] 1279
524 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 1287

Boards


XE Login