Others RPC CLEAN 시 THD 발생
2018.10.25 14:48
안녕하세요 반도체 장비업체에서 일하고 있는 사람입니다.
현재 저희 설비에 2개의 CHAMBER가 달려 있습니다. RPC CLEAN을 사용하는 장비인데
두 CH가 동시에 CLEAN이 동작하게되면 공급단 POWER 관련하여 지속적인 ERROR 가 발생을 합니다.(따로 진행시 문제 없음)
고조파 측정시 2개의 CH가 동시에 CLEAN 진행시 높아지는 현상을 발견 하였으나, 그 원인을 찾기 힘들어 질문 드립니다.
POWER CABLING이 의심 되는 상황이나, CABLE 길이 및 위치, 혹은 말림 정도가 영향이 있는지 문의 드리고, 혹시 이 외에 다른 원인을 추측할만한 내용이 있을지 질문 드립니다.
현재 CABLE 연결 상태 및 POWER SUPPLY(설비단) 교체 등 다른 방법을 진행 해 보았으나, 현상이 동일하게 발생하여 설비단 보다는 공급단쪽 POWER를 의심하고 있는 상태 입니다.
혹시 이 글과 관련된 경험이 있으신분은 답변 부탁 드리겠습니다.
감사합니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76726 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20181 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57167 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68697 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92276 |
| 529 | 플라즈마 분배에 관하여 정보를 얻고 싶습니다. | 13201 |
| 528 | 플라즈마가 생기는 메커니즘에 대한 질문입니다. [1] | 13056 |
| 527 | 반응기의 면적에 대한 질문 | 12809 |
| 526 | [기초]CCP Type에서의 Self-Bias(-Vdc) + Vp (plasma potential) 관련 질문입니다. [1] | 12757 |
| 525 | ICP와 CCP의 차이 [3] | 12483 |
| 524 | 플라즈마에 대해서 꼭알고 싶은거 있는데요.. | 12354 |
| 523 | 플라즈마 살균 방식 [2] | 11448 |
| 522 | N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [1] | 11410 |
| 521 | Arcing(아킹) 현상 및 local plasma 관련 문의 [1] | 11319 |
| 520 | DC bias (Self bias) [3] | 11258 |
| 519 | RGA에 대해서 | 10540 |
| 518 | 플라즈마 PIC 질문드립니다. [1] | 10378 |
| 517 | Remote Plasma에서 Baffle 재질에 따른 Plasma 특성 차이 [1] | 10353 |
| 516 | matcher에서 load,tune의 역할이 궁금합니다. [1] | 10348 |
| 515 | 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [1] | 10298 |
| 514 | 플라즈마에 하나도 모르는 완전초보입니다..도와주십시오ㅠㅠ [1] | 9960 |
| 513 | ICP 구성에서 PLASMA IGNITION시 문의 [1] | 9849 |
| 512 | 저온 플라즈마 장비에 관련하여 자문을 구합니다. | 9842 |
| 511 | 수중 방전 관련 질문입니다. [1] | 9665 |
| 510 | 대기압 플라즈마에 대해서 | 9636 |
제 생각에는 2개의 chamber가 cross talk을 하는 것 같습니다. Rf shield 와 ground 부분의 강화가 필요하지 않을까 합니다만,
경험자 및 전문가의 의견을 기다리겠습니다.