Etch etching에 관한 질문입니다.

2018.08.14 14:59

juhyok 조회 수:1559

안녕하세요. 반도체취업을 준비하고있는 취준생입니다. 실험도중 궁금증이 생겨 질문드립니다.

가스의 유량을 달리하여 etch rate를 비교하기 위한 실험을 했습니다.


ethcant gas인 ch4는 고정시키고

Ar가스를 30sccm 그리고 60sccm 이렇게 두가지 실험을 하였습니다.


질문1. 60sccm이 더 깊게 에칭되는것을 기대하였는데 오히려 덜 에칭되었습니다. 이유가 무엇인가요?

질문2. Ar가스 유량을 늘리는것이 etch속도가 빨라지는것은 맞나요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [128] 5604
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16884
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51347
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64210
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 84186
431 산소 플라즈마에 대한 질문입니다... 379
430 수중 속 저온 플라즈마 방전 관련 질문 드립니다 [2] file 464
429 자기 거울에 관하여 1030
428 플라즈마 장치 관련 기초적 질문입니다. [1] 720
427 Descum 관련 문의 사항. [1] 2597
426 RPC CLEAN 시 THD 발생 [1] 463
425 Plasma Generator 관련해서요. [1] 766
424 Plasma 발생영역에 관한 질문 [2] 1261
423 glass에 air plasma 후 반응에 대해 질문이 있습니다. [1] 364
422 OES를 활용한 excitation temperature 분석 질문입니다. [1] 5690
421 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 974
420 해수에서 플라즈마 방전 극대화 방안 [1] file 429
419 고전압 방전 전기장 내 측정 [1] file 889
418 RF 변화에 영향이 있는건가요? 17424
417 코로나 방전 처리 장비 문의드립니다. [1] 388
416 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 646
415 코로나 전류가 0가까이 떨어지는 현상 [1] 619
» etching에 관한 질문입니다. [1] 1559
413 코로나 방전의 속도에 관하여... [1] 2799
412 RF Vpp 관련하여 문의드립니다. [1] 5007

Boards


XE Login