Deposition PECVD 증착에서 etching 관계

2019.03.20 09:00

음월 조회 수:1278

안녕하십니까? 현재 CVD 장비 회사에 재직중입니다.


다름이 아니라 PECVD 를 이용한 SiNx 증착 test 중, 두께가 쌓을수록 굴절률이 낮아지는 현상으로


많은 고뇌를 하고 있습니다.


SiNx 증착에 사용되는 GAS 는 SiH4, Ar, H2, NH3, N2 총 5가지 입니다.


원하는 시간에 target 두께의 막은 얻지만, 굴절률이 점점 감소합니다.

(plasma 노출시간에 길어지면 길어질수록 굴절률이 더더욱 감소합니다.)


쌓일수록 ETCHING 으로인해 박막이 porous 해질 수 있는지,


혹은 특별한 경우가 있는지 여쭙고자 질문드립니다.


이상입니다.

감사합니다.

, , , 이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [220] 75432
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19167
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 56480
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 67563
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 89370
488 [질문] Plasma 장비에 대한 Monitoring 질문 [2] 1275
487 Ion과 Radical의 이동 거리 및 거리에 따른 농도와 증착 품질 관련 [1] 634
486 Matcher의 Load, Tune 영향을 미치는 요소가 궁금합니다. [2] 6074
485 EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] 1417
484 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 1054
483 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] 2781
482 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2746
481 교수님 질문이 있습니다. [1] 667
480 wafer bias [1] 1021
479 Group Delay 문의드립니다. [1] 1065
478 Plasma에 의한 분해 및 치환 반응(질문) [1] 457
477 RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] 1715
476 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ 961
475 안녕하세요 ICP dry etching 관련 질문사항드립니다! [1] 1682
474 PEALD관련 질문 [1] 32072
473 N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [1] 1824
472 dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [1] 2948
471 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 977
470 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 608
469 ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다 [2] 3580
쓰기
태그

Boards

XE Login