안녕하십니까 플라즈마 입문단계를 공부하고 있는 전기공학과 학생입니다.

다름이 아니라 공부를 하는 중에 플라즈마 소스 부분에 직류 글로우 방전에서 r-process 부분에서 2차 방출이 일어나는데

여기서 이차전자가 이온화를 잘시키는 것으로 알고 있습니다. 하지만 이온은 그에 비해 잘 시키지 못한것 같습니다

정리하자면 플라즈마에서 이온은 전자에 비해 중성종을 이온화시키기 어려운 이유가 무엇일까요?

기본적인 내용인데 많이 부족해서 모르겠습니다.

부탁드립니다!! 감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76711
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20163
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57163
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68686
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92251
528 ICP Chamber Type의 Belljar Arcing관련 문의드립니다. [2] 1271
527 플라즈마 기초입니다 [1] 1281
526 플라즈마에서 가속 전압 또는 RF 파워 관련 질문드려요. [1] 1286
525 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 1292
524 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 1306
523 I-V characteristic에 관하여 질문이 있습니다. [1] 1315
522 플라즈마 진단에서 rogowski 코일 관련 질문 드립니다. [1] 1319
521 ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다!! [1] 1320
520 CCP 챔버 접지 질문드립니다. [1] file 1323
519 CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] 1328
518 DBDs 액츄에이터에 관한 질문입니다. [3] 1330
517 Plasma Cleaning 관련 문의 [1] 1343
516 low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] 1347
515 Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [3] 1348
514 Plasma arcing 관련하여 문의드립니다. [1] 1350
513 OES 분석 관련해서 질문드립니다. [1] 1362
512 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 1368
511 [질문] Plasma 장비에 대한 Monitoring 질문 [2] 1371
510 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 1375
509 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] 1385

Boards


XE Login