Plasma Source RF 변화에 영향이 있는건가요?
2018.09.06 07:36
반도체 공정과 관련하여 DIFF 공정 진행 간, TEMP와 RF 간에 상관 관계가 궁금하여 문의 드립니다.
NH3의 분해와 관련하여 상온 기준 RF POWER를 인가한다고 했을때 분해 가능한 수준이 어느 정도인지 궁금합니다.(W 기준)
그리고 추가로 문의 드리고 싶은 사항은 TEMP와 RF 간에 상관 관계입니다. TEMP가 변화하는 정도에 따른 RF의 변화 정도가 어떻게 되는지 궁금해서 문의 드립니다.
정답이 힘들다면 참고 및 이해할 수 있는 답변을 좀 부탁 드립니다.
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76721 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20172 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57165 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68696 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92273 |
508 | 진학으로 고민이 있습니다. [2] | 1030 |
507 | 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] | 1226 |
506 | Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] | 2967 |
505 | 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] | 541 |
504 | ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] | 1597 |
503 | 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] | 1933 |
502 | Arcing(아킹) 현상 및 local plasma 관련 문의 [1] | 11316 |
501 | Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] | 2313 |
500 | 공정플라즈마 [1] | 1145 |
499 | 임피던스 매칭회로 [1] | 2804 |
498 | 전쉬스에 대한 간단한 질문 [1] | 550 |
497 | CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] | 1688 |
496 | glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] | 1506 |
495 | plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] | 3382 |
494 | 대학원 진학 질문 있습니다. [2] | 1157 |
493 | 질문있습니다. [1] | 2571 |
492 | chamber impedance [1] | 2009 |
491 | PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] | 3271 |
490 | 플라즈마 관련 기초지식 [1] | 2127 |
489 | 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] | 5065 |