안녕하세요.

궁금한 점이 있어 질문 드립니다.

일반적인 Dry etcher 장비에서 chamber 임피던스가 어떤 영향에 의해 변화 되었다면

그 결과의 공정에도 변화가 있는지요?

임피던스가 크게 변화되었다면 어떤식으로도 표현이 되겠지만,

미세하게 변화된 경우(물론 RF메칭범위 내에는 있겠죠), 공정 결과도 변화가 발생되는지 궁금합니다.

예를 들어주셔도 됩니다.

이상입니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76712
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20168
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57164
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68690
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92264
508 진학으로 고민이 있습니다. [2] 1030
507 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] 1225
506 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 2966
505 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] 540
504 ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] 1596
503 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1930
502 Arcing(아킹) 현상 및 local plasma 관련 문의 [1] 11309
501 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] 2312
500 공정플라즈마 [1] 1145
499 임피던스 매칭회로 [1] file 2804
498 전쉬스에 대한 간단한 질문 [1] 550
497 CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] 1688
496 glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] 1506
495 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] 3379
494 대학원 진학 질문 있습니다. [2] 1156
493 질문있습니다. [1] 2569
492 chamber impedance [1] 2009
491 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3269
490 플라즈마 관련 기초지식 [1] 2126
489 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] 5063

Boards


XE Login