Etch 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화
2018.09.19 13:15
안녕하세요.
궁금한 점이 있어 질문 드립니다.
일반적인 Dry etcher 장비에서 chamber 임피던스가 어떤 영향에 의해 변화 되었다면
그 결과의 공정에도 변화가 있는지요?
임피던스가 크게 변화되었다면 어떤식으로도 표현이 되겠지만,
미세하게 변화된 경우(물론 RF메칭범위 내에는 있겠죠), 공정 결과도 변화가 발생되는지 궁금합니다.
예를 들어주셔도 됩니다.
이상입니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [220] | 75432 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 19168 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 56480 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 67563 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 89370 |
| 468 | VPS 공정에서 압력변수관련 질문입니다. [1] | 391 |
| 467 | 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [4] | 2087 |
| 466 | 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] | 1080 |
| 465 | Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [3] | 1233 |
| 464 | 상압플라즈마 제품 원리 질문드립니다 [2] | 888 |
| 463 | 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] | 1710 |
| 462 | plasma etching을 관련 문의드립니다. [1] | 2334 |
| 461 | Wafer particle 성분 분석 [1] | 2180 |
| 460 | 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [1] | 2069 |
| 459 | charge effect에 대해 [2] | 1361 |
| 458 | PECVD 증착에서 etching 관계 [1] | 1278 |
| 457 | 터보펌프 에러관련 [1] | 1648 |
| 456 | 프리쉬스에 관한 질문입니다. [1] | 529 |
| 455 | 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] | 1191 |
| 454 | 플라즈마 충격파 질문 [1] | 760 |
| 453 | ESC Cooling gas 관련 [1] | 3302 |
| 452 | O2 Plasma 에칭 실험이요 [1] | 901 |
| 451 | 플라즈마 코팅 [1] | 1001 |
| 450 | 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] | 2543 |
| 449 | 수중방전에 대해 질문있습니다. [1] | 442 |
당연합니다. 챔버 임피던스의 정의가 서로 다를 수 있겠지만, 운전 중에 측정된 chamber impedance라면 당연히 chamber 내의 plasma 정보를 포함할 수 밖에 없고, 그 변화가 유발되었다는 것입니다. 물론 chamber의 열화 및 노후화로 인한 변화도 포함될 수 있겠지만, 그 어떤 경우라도 chamber impedance의 변화는 coupling power의 변화로 부터 야기된 공정 변화, 혹은 공정 드리프트의 진단 인자가 될 수 있습니다. 하지만 이를 FDC로 쓰기 위해서는 면밀한 해석이 필요하겠지요. 중요한 공정진단 기술을 확보하셨습니다. 실용 기술로 잘 발전시켜 보시기 바랍니다.