Etch DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다.
2018.11.28 12:00
안녕하십니까
저는 DRY Etch 하부 정전척(ESC) 세정/재생 업체에 다니고 있는 최균호 라고 합니다.
고객사에 납품하여 Run중인 ESC에서 He Flow라는 알람이 자주 발생하여 문의 드립니다.
상부 Glass면과 ESC 사이에 Cooling을 위한 He Gas를 공급하는데
공급 과정 중 He Pressure의 이상이 있을 때 발생하는 것이 He Alaram 입니다.
He Flow 발생품 입고 검사 시 Glass를 안착시키는 Dam부 및 Cooling 면의 외관적인 문제점은 존재 하지 않고
전기적인 특성조차 큰 특이점을 찾아 볼 수 없습니다.
고객사 측에서도 뚜렷한 원인은 알 수 없다고 하네요.
Cooling Gas Flow (Gas Leak) 발생 원인이 대체로 무엇인지, 그에 따른 해결 방안을 가지고 계신다면
알려 주실 수 있을까요?
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [220] | 75432 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 19168 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 56480 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 67563 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 89370 |
| 468 | VPS 공정에서 압력변수관련 질문입니다. [1] | 391 |
| 467 | 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [4] | 2087 |
| 466 | 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] | 1080 |
| 465 | Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [3] | 1233 |
| 464 | 상압플라즈마 제품 원리 질문드립니다 [2] | 888 |
| 463 | 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] | 1710 |
| 462 | plasma etching을 관련 문의드립니다. [1] | 2334 |
| 461 | Wafer particle 성분 분석 [1] | 2180 |
| 460 | 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [1] | 2069 |
| 459 | charge effect에 대해 [2] | 1361 |
| 458 | PECVD 증착에서 etching 관계 [1] | 1278 |
| 457 | 터보펌프 에러관련 [1] | 1648 |
| 456 | 프리쉬스에 관한 질문입니다. [1] | 529 |
| 455 | 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] | 1191 |
| 454 | 플라즈마 충격파 질문 [1] | 760 |
| 453 | ESC Cooling gas 관련 [1] | 3302 |
| 452 | O2 Plasma 에칭 실험이요 [1] | 901 |
| 451 | 플라즈마 코팅 [1] | 1001 |
| 450 | 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] | 2543 |
| 449 | 수중방전에 대해 질문있습니다. [1] | 442 |
정전척에서 helium은 wafer cooling 용으로 사용이 됩니다. 열전도도가 매우 좋은 가스 (0.1513 W/(mK)이자, 불활성 가스로 화학 반응을 적게 하기 때문입니다. 원소가 작아서 leak를 차즌 detector에도 사용하는 가스이므로, 반대로 leak.가 잘 생길 여지가 큽니다. 대부분의 정전척은 플라즈마 전하가 쌓이고 빠지는 곳으로 전하기 쌓이면 높은 표면 전압을 형성하고 이는 국부적으로 방전을 일으킵니다. 대부분 스트리머 형태의 코로나 방전으로 지속되면 아크 방전으로 변해서, 아크가 튀었다라고 할 수 있습니다. 만일 O ring 결합 부 근처에서 이런 현상이 발생하였다면, leak 원인이 될 가능성이 큽니다. 따라서 재조립시 leak detect를 하는 방법을 추가하는 것이 좋을 듯 합니다.
아마도 현업에서는 보다 다양한 leak 원인이 있을 것입니다. 현업에서의 경험과 대응책을 본 란에서 공유할 수 있기를 희망합니다.