Ion/Electron Temperature 플라즈마 발생 억제 문의
2012.03.19 14:12
안녕하십니까
플라즈마 발생을 억제시킬수 있는 방법은 무엇인지 어쭙고자 글을 올리게 되었습니다.
고주파 유도가열(3MHz)을 이용하여 실리콘(Si)을 가열하여 아르곤 분위기에서 실리콘 결정성장을 시키고 있습니다.
(코일은 팬케이크 형태임.)결정 성장을 시킬때 가끔씩 코일에 플라즈마가 발생하며,이로인해 코일arcing이 가끔 발생하여 코일이
소손되는것 같습니다.
플라즈마 발생을 억제시킬수 있는 방법이 없을지 문의 드립니다.
댓글 1
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김곤호
2013.09.13 12:48
저희가 관련 장치에 대한 정보를 찾지 못해서 답변을 못드리고 있습니다. 관련 장치에 대한 소개가 필요합니다. 저희가 알기로 사용하는 유도 가열 주파수가 매우 높은 특징이 있는데, 운전 압력에 따라서 이 조건에서 플라즈마가 생길 수 있는 가능성은 충분히 있으며 가열에 의한 표면에서의 열전자의 이탈이 쉬운 조건 혹은 induction field가 국부적으로 모이는 위치에서 방전 씨앗이 제공될 확률은 높습니다. 즉, 전자가 제법 충전된 상태에서 방전씨앗이 제공되면 이 쪽으로 부터 방전이 개시되고 쉽게 아크로 전이되게 됩니다. 일단 운전 압력을 오히려 높히는 쪽의 실험이 가능하다면 수행해 봄 직 합니다.
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