안녕하십니까, 서울대학교 황농문교수님 연구실 김두윤이라고 합니다.

 저는 현재 RF plasma sputtering 공정을 연구하고 있습니다.

 박막 증착 공정을 진행하던 도중, 예상치 못한 증착 거동을 관찰하였습니다.

 이를 이해하기 위해, 기판에 오는 ion과 electron current, plasma potential 등을 측정하려고 시도하고 있습니다.

 그리고 관련 전문가의 도움을 받아, langmuir probe와 유사한 circuit을 '첨부한 사진'과 같이 구성하였습니다.

 제 circuit이 올바르게 구성되었는지에 대한 의문이 들어 질문을 올리게 되었습니다.

 사진을 보시면, 제 circuit은 일반적인 langmuir probe circuit과 조금 구성이 다릅니다.


1. probe 크기가 2cm x 2cm로 제가 사용하는 기판의 크기와 동일합니다. 기판에 오는 current를 측정하고 싶어, 일반적인 langmuir probe 탐침이 아닌, 기판과 동일한 크기의 probe를 사용하였습니다. 이 경우, 측정에 문제는 없는 것인지 의문이 듭니다.

    현재 Ti target에 1~2W/cm^2의 RF power density와 5~10mTorr (Ar) pressure를 사용하고 있으며, 기판은 target으로부터 13~14cm 가량 떨어져 있습니다.

2. Amperemeter를 chamber ground와 맞물렸습니다. 크게 상관은 없을 것이라 생각하지만, RF plasma를 사용하는 만큼 circuit 구성에 대한 문제는 없는 것인지 전문가의 조언을 듣고 싶습니다.


Lanmuir probe 사용이 처음이라 미흡한 부분이 많습니다. 플라즈마 전문가들의 조언을 얻을 수 있을까 하여 질문 드립니다.

감사합니다.


kdy9271@snu.ac.kr

김두윤 드림

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76727
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20189
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57167
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68699
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92278
509 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 3646
508 진학으로 고민이 있습니다. [2] 1030
507 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] 1226
506 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 2972
505 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] 542
504 ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] 1600
503 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1934
502 Arcing(아킹) 현상 및 local plasma 관련 문의 [1] 11321
501 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] 2315
500 공정플라즈마 [1] 1145
499 임피던스 매칭회로 [1] file 2804
498 전쉬스에 대한 간단한 질문 [1] 550
497 CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] 1688
496 glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] 1506
495 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] 3383
494 대학원 진학 질문 있습니다. [2] 1157
493 질문있습니다. [1] 2572
492 chamber impedance [1] 2009
491 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3273
490 플라즈마 관련 기초지식 [1] 2128

Boards


XE Login