Others RPC CLEAN 시 THD 발생
2018.10.25 14:48
안녕하세요 반도체 장비업체에서 일하고 있는 사람입니다.
현재 저희 설비에 2개의 CHAMBER가 달려 있습니다. RPC CLEAN을 사용하는 장비인데
두 CH가 동시에 CLEAN이 동작하게되면 공급단 POWER 관련하여 지속적인 ERROR 가 발생을 합니다.(따로 진행시 문제 없음)
고조파 측정시 2개의 CH가 동시에 CLEAN 진행시 높아지는 현상을 발견 하였으나, 그 원인을 찾기 힘들어 질문 드립니다.
POWER CABLING이 의심 되는 상황이나, CABLE 길이 및 위치, 혹은 말림 정도가 영향이 있는지 문의 드리고, 혹시 이 외에 다른 원인을 추측할만한 내용이 있을지 질문 드립니다.
현재 CABLE 연결 상태 및 POWER SUPPLY(설비단) 교체 등 다른 방법을 진행 해 보았으나, 현상이 동일하게 발생하여 설비단 보다는 공급단쪽 POWER를 의심하고 있는 상태 입니다.
혹시 이 글과 관련된 경험이 있으신분은 답변 부탁 드리겠습니다.
감사합니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76726 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20180 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57166 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68697 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92275 |
509 | ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] | 3646 |
508 | 진학으로 고민이 있습니다. [2] | 1030 |
507 | 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] | 1226 |
506 | Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] | 2969 |
505 | 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] | 541 |
504 | ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] | 1598 |
503 | 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] | 1934 |
502 | Arcing(아킹) 현상 및 local plasma 관련 문의 [1] | 11319 |
501 | Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] | 2314 |
500 | 공정플라즈마 [1] | 1145 |
499 | 임피던스 매칭회로 [1] | 2804 |
498 | 전쉬스에 대한 간단한 질문 [1] | 550 |
497 | CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] | 1688 |
496 | glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] | 1506 |
495 | plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] | 3382 |
494 | 대학원 진학 질문 있습니다. [2] | 1157 |
493 | 질문있습니다. [1] | 2571 |
492 | chamber impedance [1] | 2009 |
491 | PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] | 3272 |
490 | 플라즈마 관련 기초지식 [1] | 2128 |
제 생각에는 2개의 chamber가 cross talk을 하는 것 같습니다. Rf shield 와 ground 부분의 강화가 필요하지 않을까 합니다만,
경험자 및 전문가의 의견을 기다리겠습니다.