ESC 플라즈마 건식식각 장비 부품 정전척 공정 진행 후 외각 He-hole 부위 burning 현상 매카니즘 문의..
2013.06.13 15:05
안녕하세요.
저는 정전척 제조 회사에 근무하고 있는 서보경입니다.
정전척 관련하여 궁금한 것이 있어 이렇게 문의를 드리게 되었습니다.
자사 5.5세대 정전척 제품이 공정 진행 후 Gate 앞쪽 부위의 외각 He-hole 부위에 burning 현상이 많이 나타납니다.
이러한 현상은 glass를 chucking 하기 전에 이미 plasma 가 유입이 되어 이로 인하여 burning 현상이 나타나는 것으로 예상을
하고 있는데요. 그렇다면 이 현상에 대해 메카니즘이 어떻게 되는 것인지 궁금합니다.
도움을 주시면 정말 감사하겠습니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76727 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20184 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57167 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68699 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92278 |
509 | ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] | 3646 |
508 | 진학으로 고민이 있습니다. [2] | 1030 |
507 | 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] | 1226 |
506 | Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] | 2972 |
505 | 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] | 542 |
504 | ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] | 1600 |
503 | 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] | 1934 |
502 | Arcing(아킹) 현상 및 local plasma 관련 문의 [1] | 11320 |
501 | Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] | 2315 |
500 | 공정플라즈마 [1] | 1145 |
499 | 임피던스 매칭회로 [1] | 2804 |
498 | 전쉬스에 대한 간단한 질문 [1] | 550 |
497 | CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] | 1688 |
496 | glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] | 1506 |
495 | plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] | 3383 |
494 | 대학원 진학 질문 있습니다. [2] | 1157 |
493 | 질문있습니다. [1] | 2571 |
492 | chamber impedance [1] | 2009 |
491 | PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] | 3273 |
490 | 플라즈마 관련 기초지식 [1] | 2128 |
추측하건대, gate 부분의 공간으로 plasma가 새어 들어갈 충분한 이유가 있어 보이고 이 경우라면 helium leak이 있는 hole 근방에 helium 플라즈마가 새어 들어온 플라즈마와 같이 생길 수 있습니다. 또한 bias를 쓰면 그 현상은 더 커질 수 있겠습니다. 특별히 chuch에 쌓인 하전 효과로 국부 방전이 일어났다고 보이진 않는데, 보다 자세한 이해는 도면을 보면 쉽게 이해할 수 있겠습니다.